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美國“芯片法案”對我國集成電路產(chǎn)業(yè)的影響和建議

發(fā)布時間:2022-09-12作者來源:薩科微瀏覽:2488


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摘要:集成電路是關(guān)系國民經(jīng)濟和社會發(fā)展的基礎(chǔ)性、先導性和戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。當前,國際環(huán)境日趨復雜,百年變局和世紀疫情相互交織,中美之間持續(xù)升級的大國博弈和不斷深化的利益脫鉤對全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈格局產(chǎn)生了深遠影響。


近日美國出臺《2022芯片與科學法》、并聯(lián)手日本、韓國以及中國臺灣地區(qū)組建“四方芯片聯(lián)盟”,構(gòu)建“圍堵”中國的“統(tǒng)一戰(zhàn)線”,試圖將中國集成電路產(chǎn)業(yè)孤立在全球供應鏈體系之外。通過梳理美國在科技立法上的歷史沿革和主要特點,以及《2022芯片與科學法》在集成電路領(lǐng)域的[敏感詞]戰(zhàn)略部署,對由此帶來的全球集成電路產(chǎn)業(yè)格局新變化以及對我國的影響進行研判,并提出相關(guān)發(fā)展建議。

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引言


當前,我國進入新時代新發(fā)展階段,正逢世界處于百年未有之大變局。隨著我國在高科技領(lǐng)域逐步崛起,以美國為首的先進國家對中國采取制裁、脫鉤、遏制等一系列打壓手段,試圖推進全球產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu) “去中國化”,集成電路產(chǎn)業(yè)首當其沖。


美國對外不斷采取“小院高墻”政策遏制中國集成電路領(lǐng)域關(guān)鍵科技進步,同時拉攏盟友組建“四方芯片聯(lián)盟”;對內(nèi)強推《2022芯片與科學法》[1],試圖通過大額度的投資補貼,引導先進制造等高附加值集成電路產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)回歸本土。一系列“筑墻”“脫鉤”的做法,嚴重擾亂全球集成電路供應鏈的同時,也使得我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨著嚴峻的外部競爭形勢。


在全球集成電路供應鏈體系深度調(diào)整和產(chǎn)業(yè)鏈加快重塑的大趨勢下,我們需要認真梳理美國在集成電路領(lǐng)域立法的歷史沿革、特點和趨勢,也要客觀研判當前外部競爭形勢下帶來的發(fā)展挑戰(zhàn),在此基礎(chǔ)上,作出我國集成電路產(chǎn)業(yè)新發(fā)展格局下的應對之策,具有重大的理論意義和現(xiàn)實緊迫性。


一、美國在集成電路領(lǐng)域立法的歷史沿革、特點和趨勢

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長期以來,科技立法就是美國激烈爭奪[敏感詞]技術(shù)領(lǐng)導地位不可或缺的手段,并且非常重視與科技發(fā)展的同步性。受大國競爭、科技變革疊加新冠肺炎疫情的沖擊,新發(fā)展格局下全球集成電路產(chǎn)業(yè)更加重視產(chǎn)業(yè)鏈的安全穩(wěn)定、更加注重維護或爭取大國優(yōu)勢地位、更加受到大國內(nèi)部政治力量的推動和國際政治格局的影響。近期美國出臺《2022芯片與科學法》,更是高科技產(chǎn)業(yè)泛政治化、泛安全化的表現(xiàn)。


目前,美國聯(lián)邦層面有《國家科學基金會法》[2]、《國家標準技術(shù)研究院法》[3]、《美國國家標準局機構(gòu)法》[3]、《美國競爭法案》[4]、《振興美國制造業(yè)和創(chuàng)新法案》[5]等;科技專項立法[6]有1980年修訂的《專利法》、1980年《拜杜法案》和《史蒂文森—懷勒技術(shù)創(chuàng)新法》、1984年《陸地遙感商業(yè)法案》和《半導體芯片保護法》[7]、1993年《綠色技術(shù)促進法》等。《2022芯片與科學法》則是[敏感詞]出臺的聯(lián)邦層面的法案。其中與集成電路密切相關(guān)的除了《2022芯片與科學法》,還有1984年《半導體芯片保護法》、2007年的《美國競爭法案》、以及2014年的《振興美國制造業(yè)和創(chuàng)新法案》。


1、美國在集成電路領(lǐng)域立法的歷史沿革


美國是最早制造出集成電路的國家,因此也是世界上[敏感詞]個單獨立法保護集成電路知識產(chǎn)權(quán)的國家。1979年美國國會就開始討論“以知識產(chǎn)權(quán)保護集成電路掩膜”的議案, 1984年美國通過了《半導體芯片保護法》, 為固定在半導體芯片中的掩膜產(chǎn)品建立了一種新型的知識產(chǎn)權(quán)保護,并把它編入《美國法典》第17編——《版權(quán)》第9章。


此后短短的幾年里,先后制定類似單行法的國家有日本、瑞典、德國、英國、法國、荷蘭、丹麥、西班牙等。盡管各國給法律所取的名稱不同,但其實質(zhì)內(nèi)容大致都是一樣的。


2007年,《美國競爭法案》由時任美國總統(tǒng)布什正式簽署后生效。《美國競爭法案》的主旨為保持美國在21世紀的創(chuàng)新性,增強美國競爭力,要求對聯(lián)邦政府一系列科學、技術(shù)和研究項目投入多達336億美元的資金。


按法案的規(guī)劃,在2007-2010年內(nèi),聯(lián)邦政府將對一系列與科學有關(guān)的聯(lián)邦機構(gòu)實施注資計劃,包括國家標準與技術(shù)研究所、國家科學基金會、能源部下屬的一些科學計劃等。在法案提議下,還將在半導體、新能源等領(lǐng)域支持一批新的政府項目,另外再新設(shè)一個“技術(shù)創(chuàng)新項目”,資助中小型公司進行那些“高風險、 高回報”的研究[8]。


2014年,《振興美國制造業(yè)和創(chuàng)新法案》在美國國會獲得通過,其前身為美國國家制造業(yè)創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)計劃, 源于美國在金融危機后推動制造業(yè)回歸的重大國家戰(zhàn)略。該法案對《國家標準與技術(shù)研究院(NIST)法案》進行修改,授權(quán)商務(wù)部部長在NIST框架下實施制造業(yè)創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)計劃,在全國范圍內(nèi)建立制造業(yè)創(chuàng)新中心。


該法案還明確了制造業(yè)創(chuàng)新中心重點關(guān)注納米技術(shù)、先進陶瓷、光子及光學器件、復合材料、生物基和先進材料、混動技術(shù)、微電子器件工具開發(fā)等領(lǐng)域。2014~2024財年商務(wù)部和能源部資助金額分別不超過0.5億和2.5億美元[5]。


2022年8月9日,美國總統(tǒng)拜登正式簽署了資金規(guī)模龐大的《2022芯片與科學法》。此法案從醞釀到正式簽署經(jīng)歷三年立法拉鋸,幾易其名,在通常勢不兩立的美國民主、共和兩黨的共同推動下,反復磋商,最終形成。


這份兩黨聯(lián)合推動的法案涉及對集成電路產(chǎn)業(yè)的資金支持規(guī)模和覆蓋范圍都遠遠超越了之前的所有相關(guān)法案,被認為是“數(shù)十年來政府對產(chǎn)業(yè)政策最重大的干預”,將為“與中國的地緣政治競爭”提供長期戰(zhàn)略支持,可能將對美國產(chǎn)生有史以來最重大、最深遠的影響之一。


2、美國《2022芯片與科學法》的內(nèi)容與影響


2020年6月,美國集成電路行業(yè)的產(chǎn)能現(xiàn)狀與戰(zhàn)略危機促使美國參議院提出《為美國制造芯片創(chuàng)造有利倡議》,后歷經(jīng)多輪修改和博弈,2022年8月9日,美國總統(tǒng)拜登正式簽署《2022芯片與科學法》[9],標志著該法案正式成為法律。


《2022芯片與科學法》總額2800億美元,分5年執(zhí)行。其中涉及到支持芯片發(fā)展的資金額度在527億美元,旨在鼓勵企業(yè)在美國研發(fā)和制造芯片,并為這些企業(yè)提供25%的投資稅抵免,價值240億美元。因此未來5年內(nèi)美國在芯片領(lǐng)域投入的政府資金接近800億美元。

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3、美國重點支持先進芯片制造產(chǎn)能建設(shè)


《2022芯片與科學法》中資金分配計劃如表1所示,對集成電路領(lǐng)域的金額中接近3/4的部分直接支持了芯片制造業(yè),顯示出了美國急于改變當前全球集成電路先進制造能力在亞太地區(qū)過于集中(全球芯片制造75%的產(chǎn)能已轉(zhuǎn)移到亞太地區(qū))的局面,旨在扭轉(zhuǎn)美國在全球芯片制造業(yè)中所占份額從1990年的38%下降到12%的趨勢。


《2022芯片與科學法》對制造業(yè)的直接支持額度達到了390億美元,其中有20億美元用于傳統(tǒng)芯片生產(chǎn),其余370億美元則全部投入先進工藝節(jié)點(14納米及以下)的產(chǎn)能建設(shè)。


根據(jù)《2022芯片與科學法》中規(guī)定的流程,每個項目獲得的補貼額度[敏感詞]不超過30億美元,則說明五年內(nèi)在美至少會增加12條先進工藝生產(chǎn)線。


按照為這些企業(yè)提供25%,價值240億美元的投資稅抵免來測算,企業(yè)對先進工藝生產(chǎn)線的總投資接近千億,加上政府補貼的370億元,預計五年內(nèi)美國將有接近1 400億美元的金額投入到先進制造產(chǎn)能建設(shè)中,按照先進工藝產(chǎn)能每萬片/月投資額在20億美金測算,也就是未來五年在美國將會增加超過70萬片/月的先進產(chǎn)能。而目前全球的先進工藝產(chǎn)能僅為122萬片/月,而五年后,可以預計,美國的新增先進產(chǎn)能將占據(jù)全球先進工藝產(chǎn)能總量的30%-40%,有望全面提升美國芯片制造業(yè)在全球的話語權(quán)。


4、美國首次通過立法方式針對性的遏制中國集成電路產(chǎn)業(yè)崛起


《2022芯片與科學法》文本中關(guān)于補貼資助對象資格的內(nèi)容里,明確寫到,禁止接受聯(lián)邦獎勵資金的企業(yè),在中國等對美國國家安全構(gòu)成威脅的特定國家擴建或新建某些先進半導體的新產(chǎn)能,期限為10年,違反禁令或未能修正違規(guī)狀況的公司,可能需要全額退還聯(lián)邦補助款。


法案中還要求接受NSF(國家科學基金會)資助的機構(gòu),每年披露對受重點關(guān)注的外國(中國、俄羅斯、朝鮮、伊朗)的財政支持,并允許NSF在某些情況下減少、暫停或終止資助。


這是美國首次通過立法方式,有針對性的通過限制補貼資格遏制中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。這與法案出臺前,美國拉攏歐洲、日本、韓國等盟友和合作伙伴,成立“四方芯片聯(lián)盟”多管齊下全面壓制中國的策略遙相呼應,對我國集成電路產(chǎn)業(yè)開啟“圍剿”之勢,企圖通過控制歐日韓和中國臺灣在集成電路工藝、封裝、設(shè)備、材料以及存儲器等領(lǐng)域的關(guān)鍵資源,關(guān)鍵技術(shù)和關(guān)鍵供應鏈,將中國擠出全球集成電路產(chǎn)業(yè)版圖。


5、美國通過法案構(gòu)建完備的生態(tài)化支持體系將繼續(xù)拉大與中國的技術(shù)代差


《2022芯片與科學法》對美國集成電路產(chǎn)業(yè)的支持不僅僅局限在先進制造層面,還包括高達110億美元的資金支持提供給國家半導體技術(shù)中心(NSTC)、國家先進封裝制造計劃以及其他研發(fā)和勞動力發(fā)展計劃,以及接近30億美元的資金用于集成電路領(lǐng)域的人才和勞動力培養(yǎng),軍民融合以及美國及其盟友之間在先進半導體技術(shù)及供應鏈上的協(xié)作。


另外,該法案還將在五年內(nèi)撥款1 700多億美元,授權(quán)美國國家科學基金會、美國商務(wù)部等增加對關(guān)鍵領(lǐng)域科技研發(fā)的投資,主要應用于人工智能、量子計算、先進制造、6G通信、能源與材料等領(lǐng)域;部分用于科學、技術(shù)、工程、數(shù)學領(lǐng)域的教育和人才培養(yǎng),促進美國在[敏感詞]科學研究能力。


由此可見,《2022芯片與科學法》通過精心的頂層設(shè)計,為美國繼續(xù)引領(lǐng)集成電路產(chǎn)業(yè)構(gòu)建了一套從先進制造能力、前沿技術(shù)研發(fā)、再到人才培養(yǎng)、技術(shù)應用以及聯(lián)盟合作等完備的生態(tài)化支持體系,足見其對集成電路產(chǎn)業(yè)的長遠布局之心,旨在逐漸拉大與中國的技術(shù)代差。


6、美國在集成電路領(lǐng)域立法的主要特點


從美國自建國以來的科技政策與立法中,涉及到與集成電路技術(shù)及產(chǎn)業(yè)相關(guān)的法案數(shù)量不多,但價值越來越大。根據(jù)這些法案,可以總結(jié)出以下幾個特點[6]:


一是與時俱進的立法政策。美國的科技立法非常注重與時代的同步性,科技立法政策隨著科技的發(fā)展而不斷地調(diào)整和適應。


例如在20世紀80年代,美國政府為了加強開發(fā)工作和促進高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,制定和修改了一系列法規(guī),如修改反托拉斯法;頒布1984年《國家合作研究法》;頒布促使科研成果商品化的1986年《聯(lián)邦技術(shù)轉(zhuǎn)讓法》;支持小企業(yè)創(chuàng)新活動,制定1982年《小企業(yè)創(chuàng)新研究法案》及1987年《技術(shù)競爭力法案》。而在集成電路愈加重視的今天,為爭取更多先進芯片制造能力回歸美國本土,即出臺了《2022芯片與科學法》。


二是特別注重對科技前沿領(lǐng)域的法律保護。縱觀美國的科技立法,其保護范圍幾乎涵蓋了所有科學技術(shù)前沿領(lǐng)域。對集成電路的法律保護,充分體現(xiàn)了這一點。


例如在1984年《半導體芯片保護法》、2007年的《美國競爭法案》以及《2022芯片與科學法》中,都對前沿領(lǐng)域的關(guān)鍵集成電路技術(shù)予以資金支持。這些對于促進美國的科技發(fā)展與創(chuàng)新都起到了很大的作用。這也使得美國的集成電路成就長期領(lǐng)先于世界其他國家,前沿領(lǐng)域的科技成果更是源源不斷。


三是在對集成電路領(lǐng)域的立法尤其體現(xiàn)其霸權(quán)至上的價值取向。美國當前科技發(fā)展速度和力量出現(xiàn)明顯頹勢,尤其是在集成電路先進制造產(chǎn)能方面,在全球占比從1990年的37%下降到2021年的12%。


因此希望通過高額的產(chǎn)業(yè)補貼政策和嚴格緊密的法律制度,阻止獲得補貼的全球[敏感詞]芯片制造廠商在10年內(nèi)在中國擴張集成電路先進制造產(chǎn)能業(yè)務(wù),同時禁止相關(guān)機構(gòu)人員參與“外國人才招聘計劃”,以防止科技交流帶來他國技術(shù)進步,壓縮他國企業(yè),特別是中國企業(yè)在美國和國際上的生存空間,增強本國科技領(lǐng)域的排他性。


四是對集成電路領(lǐng)域的法案執(zhí)行的連續(xù)性和實施效率難以保證。美三權(quán)分立的制度設(shè)定,使得一些重大政策落地程序繁瑣,即使相關(guān)政策經(jīng)由法案的形式出臺,也會由于往往要向有利于選舉傾斜,相關(guān)政策很容易追求形式,力求短期震懾效應,而影響其實施的連續(xù)性和穩(wěn)定性。


例如2007年《美國競爭法案》的執(zhí)行,就因為次貸危機觸發(fā)了財政資源短缺遭遇阻滯,在2007年12月核準的美國2008財年撥款當中,《美國競爭法案》所承諾的條目幾乎全部消失。在隨后布什政府建議的2009年國會預算案當中,科技和教育兩部分經(jīng)費也都大幅度跳水[10]。


7、美國在集成電路領(lǐng)域立法的趨勢變化


隨著美國在集成電路領(lǐng)域的立法對其意識形態(tài)、國家安全保護的價值取向不斷加強,美國在集成電路領(lǐng)域立法未來可能具有以下發(fā)展趨勢:


一是對集成電路領(lǐng)域立法涉及到的支持資金規(guī)模將越來越大。在本次推出《2022芯片與科學法》之前,美國科技立法中涉及到集成電路領(lǐng)域的法案屈指可數(shù),且從來沒有針對集成電路產(chǎn)業(yè)給予大規(guī)模的資金補貼。


2007年的《美國競爭法案》和2014年的《振興美國制造業(yè)和創(chuàng)新法案》中,集成電路產(chǎn)業(yè)都不是重點支持的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,涉及的支持資金規(guī)模也非常有限。《2022芯片與科學法》是美國歷史上首次如此大規(guī)模的對單一行業(yè)進行補貼。


隨著集成電路產(chǎn)業(yè)對國家安全及戰(zhàn)略地位的作用與日俱增,加之先進集成電路技術(shù)的研發(fā)成本呈指數(shù)級提升,未來美國對集成電路領(lǐng)域立法涉及到的支持資金額度將會越來越高。


二是出口管制水平不斷加強,尤其是前沿集成電路技術(shù)領(lǐng)域的出口管制。一直以來,美國就不斷推進《出口管理法》、《出口管理條例》的修訂工作,企圖進一步收緊以集成電路為代表的高技術(shù)、高附加值技術(shù)的出口,尤其是會特別關(guān)注高科技領(lǐng)域戰(zhàn)略儲備物資的出口,以及出口與轉(zhuǎn)賣等間接出口方式。


本次《2022芯片與科學法》提出針對中國的各項限制就凸顯了這一趨勢。同時緊隨法案的關(guān)于14 nm以下先進制造設(shè)備和3 nm GAA技術(shù)需要用到的EDA工具禁運,也驗證了這個趨勢。


隨著集成電路進入后摩爾時代,下一代前沿技術(shù)可能改變“競爭賽道”和“游戲規(guī)則”,因此美國更加會限制中國去搶抓技術(shù)變革的制高點和下一代技術(shù)引領(lǐng)的話語權(quán),而加強前沿技術(shù)領(lǐng)域出口管制,限制高科技人才國際化合作和交流則是最直接有效的方式之一,而由此也會導致中國獲取相關(guān)技術(shù)資源的環(huán)境更加惡劣。


三是通過美國聯(lián)邦通信委員會和美國聯(lián)邦貿(mào)易委員會加強對中國相關(guān)企業(yè)數(shù)據(jù)的審核,并通過各種非政府組織推動隱私保護、數(shù)據(jù)保護等議題,限制中國企業(yè)的創(chuàng)新模式,以此來限制、排擠中國企業(yè)。


同時通過國家標準與技術(shù)研究院制定各種網(wǎng)絡(luò)安全標準,以保護美國國家供應鏈為由,進行全面的網(wǎng)絡(luò)安全審查,審核中國高科技企業(yè)的商業(yè)數(shù)據(jù)和科技成果,并且通過美國龍頭企業(yè)的主動配合,向中國企業(yè)施壓,逼迫中國企業(yè)就范。


此外美國還會進一步加強對科研機構(gòu)的監(jiān)管,強調(diào)科研安全,與其他法律聯(lián)動對科研人才、活動的外國影響力進行管控。

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二、全球集成電路產(chǎn)業(yè)格局新變化及對我國的影響


當前,我國進入新時代新發(fā)展階段,正逢世界處于百年未有之大變局。美國等發(fā)達國家從大國競爭的政治利益出發(fā),無視全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈分工給各國帶來的互利共贏的基本事實強行切斷產(chǎn)業(yè)鏈,利用技術(shù)優(yōu)勢試圖推進“去中國化”的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu),遏制和延緩中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈升級步伐,使現(xiàn)有的全球集成電路產(chǎn)業(yè)格局陷入混亂和無序狀態(tài),并通過切斷、打壓、遏制別國發(fā)展的負面競爭手段,維持其在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的優(yōu)勢地位,同時也對中國深度參與全球集成電路價值鏈分工、持續(xù)獲得全球化紅利帶來諸多不確定性。


1、我國在集成電路關(guān)鍵領(lǐng)域追趕阻礙加大


《2022芯片與科學法》出臺前,韓國政府于2021年5月發(fā)布《K-半導體戰(zhàn)略》[11],以“打造世界最強的半導體供應鏈”為愿景,圍繞構(gòu)建“K-半導體產(chǎn)業(yè)帶”、加大半導體基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、夯實半導體技術(shù)發(fā)展基礎(chǔ)、提升半導體產(chǎn)業(yè)危機應對能力四大方面制定了16項推進課題,提出到2030年將半導體年出口額增加到2 000億美元,并將相關(guān)就業(yè)崗位增至27萬個,并且由國會及相關(guān)部門就是否制定《半導體特別法》及立法方向進行協(xié)商,立法方向包括但不限于:人才培養(yǎng)、基礎(chǔ)設(shè)施支持、投資支持、研發(fā)加速化方案等。


日本政府緊接著在2021年6月對半導體、數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施及數(shù)字產(chǎn)業(yè)做出綜合部署,制定了以擴大國內(nèi)半導體生產(chǎn)能力為目標的《半導體數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略》[12]。歐洲于2022年2月出臺《歐洲芯片法案》[13]提出將在2030年前充分調(diào)動公共和私營部門資金,投入430億歐元(約合3 000億人民幣)構(gòu)建起繁榮的生態(tài)系統(tǒng),確保歐盟在半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。


韓國、日本、歐洲集成電路相關(guān)法案及政策如表2所示。先進國家將上述政策以法案的形式推出,體現(xiàn)出美歐等國將支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展作為一個長期的,既定的目標來執(zhí)行,并且一定程度上確保了其產(chǎn)業(yè)扶持政策的延續(xù)性。這將使得大量資金、關(guān)鍵人才和企業(yè)熱衷于向美國、歐洲等先進國家轉(zhuǎn)移,削弱我國獲取國際產(chǎn)業(yè)資源和創(chuàng)新要素的能力。


同時,幾乎所有先進國家新推行的集成電路領(lǐng)域相關(guān)法案或政策,都對加大技術(shù)出口管制有明確規(guī)定,這使得國際企業(yè)在我國的技術(shù)溢出和人才培養(yǎng)貢獻將會減小,長期以來我國依靠“外源式”創(chuàng)新獲得的技術(shù)提升機會將會大打折扣,從而在集成電路關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)追趕的阻礙將顯著加大。


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2、我國集成電路供應鏈“斷供”風險加大


近年來,美國、歐洲等先進國家和區(qū)域不斷對我國集成電路產(chǎn)業(yè)實施打壓。以美國為例,從特朗普時期的對華集成電路全面封鎖政策,到拜登政府實施的定向封鎖和選擇性脫鉤,對華競爭立場并沒有發(fā)生實質(zhì)性轉(zhuǎn)變。


此外,拜登政府還提出“投資、聯(lián)合、競爭”的新三策略,拉攏歐洲、日本、韓國等盟友和合作伙伴,成立“四方芯片聯(lián)盟”多管齊下全面壓制中國,對我國集成電路產(chǎn)業(yè)開啟“圍剿”之勢。


一方面美國試圖通過控制歐日韓和中國臺灣在集成電路工藝、封裝、設(shè)備、材料以及存儲器等領(lǐng)域的關(guān)鍵資源,關(guān)鍵技術(shù)和關(guān)鍵供應鏈,將中國擠出全球集成電路產(chǎn)業(yè)版圖,并由此破壞當前以中國為核心的數(shù)十萬億產(chǎn)值規(guī)模的電子信息制造生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)和產(chǎn)業(yè)鏈,動搖中國制造業(yè)大國的市場地位,延滯中國產(chǎn)業(yè)升級和經(jīng)濟發(fā)展。


另一方面,美國又準備通過不斷升級對華制裁和禁運,在存儲器設(shè)備、14 nm及以下先進工藝設(shè)備、先進EDA工具等領(lǐng)域進行進一步的圍追堵截,同時阻斷我國跟歐洲、日本、韓國等進行[敏感詞]技術(shù)合作的通路,實現(xiàn)在[敏感詞]技術(shù)領(lǐng)域與中國“精準脫鉤”。


由此可見,美國在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域加強進出口管制,在高端產(chǎn)品上阻礙我國國際化合作和自力更生,使我國集成電路供應鏈斷供風險大幅增加,給我國集成電路產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)定和安全發(fā)展帶來極大挑戰(zhàn)。


3、我國集成電路市場周期波動不確定性加大


一直以來,集成電路行業(yè)普遍受到宏觀經(jīng)濟的影響,周期性特點非常明顯。但近年來受到貿(mào)易保護主義“抬頭”,以及新冠肺炎疫情全球大流行的沖擊,全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈分工合作的態(tài)勢被打破,企業(yè)尋求建立兼具韌性與穩(wěn)健性供應鏈的意愿更加迫切,紛紛加強備貨和安全庫存,加上美國對中國特定企業(yè)實施針對性制裁和“斷供”威脅,也打亂了全球集成電路供應鏈體系的正常運轉(zhuǎn),導致2021年出現(xiàn)全球芯片緊缺的局面。


而2022年由于全球經(jīng)濟下行,俄烏局勢和歐美爆發(fā)高通脹帶來的消費力下降,以及國內(nèi)新冠疫情反復不斷大量抑制投資和消費需求,使得全球集成電路供應鏈體系從全面缺芯的態(tài)勢逐步轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)構(gòu)性缺芯,尤其是消費電子類芯片產(chǎn)品從2022年3季度開始進入到漫長的去庫存過程。


而新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)領(lǐng)域的芯片需求仍然飽滿且維持一定的緊缺態(tài)勢。這種由全球供應鏈不確定性和不透明而引發(fā)的集成電路市場供應關(guān)系轉(zhuǎn)變和調(diào)整,將有可能成為常態(tài),將會使得我國集成電路市場周期波動不確定性加大,給我國集成電路企業(yè)的生存和發(fā)展帶來更多考驗。


4、我國集成電路高質(zhì)量國產(chǎn)替代難度加大


21世紀以來,我國先后出臺了一系列鼓勵集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的政策文件(如表3所示),二十年間有力支撐了國內(nèi)在集成電路領(lǐng)域的技術(shù)追趕和市場拓展。隨著美國不斷收緊對我國集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和供應鏈限制,我國開始實施關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品的國產(chǎn)替代,并在一系列產(chǎn)業(yè)政策的推動下取得了階段性的成效[14]。


例如在信創(chuàng)、北斗等領(lǐng)域,已經(jīng)實現(xiàn)國產(chǎn)芯片全鏈條的替代能力,為保障國家“新基建”戰(zhàn)略和黨政軍用基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)貢獻力量。但目前我國集成電路的加速替代進程開始面臨天花板,大量中低端產(chǎn)品完成淺層替代,迫切需要攻關(guān)更多“卡脖子”領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),去實現(xiàn)高水平的深度替代。


然而集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條上那些“硬骨頭”的攻關(guān),往往對創(chuàng)新資源的有效獲取及科學籌劃組織提出了更高的要求,但我國當前則面臨著高質(zhì)量的國產(chǎn)替代難度顯著加大的局面。


一方面由于美國等先進國家有意識的控制先進技術(shù)外溢,為我國通過科研合作,[敏感詞]人才引進等渠道實現(xiàn)技術(shù)升級設(shè)置諸多障礙。


另一方面當前國內(nèi)存在大量的低水平重復建設(shè),導致資金、人才等創(chuàng)新資源極度分散,無法集中力量形成合力進行高水平的國產(chǎn)替代。此外,對光刻機、14 nm先進工藝等對我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈起到“堡壘”作用的最核心領(lǐng)域,我國還缺乏大力度、可持續(xù)的資金投入,以及缺乏高效科學的統(tǒng)籌和組織布局。


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圖片

結(jié)論


大國競爭背景下的全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)正在加速演進,一方面全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈布局的成本與效率導向勢必要在一定程度上讓位于國家安全原則和戰(zhàn)略偏好,我國利用比較優(yōu)勢獲得全球化紅利的機遇減少,傳統(tǒng)的后發(fā)趕超道路受阻,為我國加快推進集成電路產(chǎn)業(yè)鏈升級帶來極大挑戰(zhàn)。


另一方面,各國紛紛效仿我國以“國家力量”推進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,也從側(cè)面印證了長期以來我國堅定不移以國家意志發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的總體策略是完全正確的,只要進一步強化戰(zhàn)略定力,探索建立新型[敏感詞]制,積極在社會主義市場經(jīng)濟條件下開展“卡脖子”領(lǐng)域攻關(guān),就可以有效應對全球集成電路價值鏈重構(gòu)的挑戰(zhàn)和風險,在大國競爭中立于不敗之地[15]。


在當前形勢下,我們還需要在以下幾方面進一步發(fā)展完善:


一是建議在國家層面加大組織力度,全力解決“卡脖子”領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)自主化問題。例如在先進工藝、光刻機及部分關(guān)鍵設(shè)備、先進EDA工具、關(guān)鍵半導體材料和零部件等領(lǐng)域的攻關(guān)問題,我們?nèi)孕枰趪覍用婕哟蠼M織力度。


建議在上述領(lǐng)域繼續(xù)設(shè)立國家重大科技專項,加快立項工作,借鑒發(fā)改委“揭榜掛帥”模式,加速實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。其次對于參與上述專項集中攻關(guān)的[敏感詞]領(lǐng)軍人才和工程師人才,給予豐厚且完善的激勵機制,以保障攻關(guān)的效率和連續(xù)性。


二是全力保障國產(chǎn)集成電路制造供應鏈安全穩(wěn)定發(fā)展。根據(jù)大生產(chǎn)線的切實需要,加快國產(chǎn)設(shè)備、材料的驗證進程,同時積極推進先進工藝所需的設(shè)備及材料、零部件的開發(fā)和驗證。


鼓勵企業(yè)積極采取多源和國產(chǎn)化應對措施,抓住窗口期,提前采購關(guān)鍵設(shè)備,防范美國極限施壓,同時在對美依賴高的關(guān)鍵領(lǐng)域積極尋找非美和國內(nèi)供應商進行聯(lián)合開發(fā)和驗證,重新布局自主供應鏈體系。


三是充分發(fā)揮國內(nèi)超大規(guī)模市場優(yōu)勢,強化前沿新技術(shù)領(lǐng)域的“內(nèi)源式”創(chuàng)新能力[16]。支持相關(guān)企業(yè)開展新新技術(shù)和新工藝研發(fā),在Chiplet(芯粒)、硅光、異質(zhì)集成、RISC-V等方面積極布局,圍繞東數(shù)西算、雙碳戰(zhàn)略、新基建等改善民生和促進可持續(xù)發(fā)展的國家戰(zhàn)略,采取“賽馬”和“揭榜”機制,給予新技術(shù)新工藝“上場競技”的機會,爭取在新賽道建立一定的基礎(chǔ)引領(lǐng)優(yōu)勢,以繞過現(xiàn)有技術(shù)領(lǐng)域的供應鏈限制。


四是繼續(xù)發(fā)揮政策和金融對產(chǎn)業(yè)的助力作用,有序及合理引導產(chǎn)業(yè)發(fā)展。《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》出臺接近10年,建議結(jié)合當前國內(nèi)外競爭形勢和供應鏈布局的變化,進一步加強產(chǎn)業(yè)發(fā)展的頂層設(shè)計,統(tǒng)籌規(guī)劃。出臺我國集成電路產(chǎn)業(yè)新的“十年計劃”和到2035年的中長期發(fā)展規(guī)劃,以強化集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的國家意志。


此外,繼續(xù)發(fā)揮大基金和科創(chuàng)板對集成電路產(chǎn)業(yè)的激勵和撬動作用,加快集成電路企業(yè)上市進程,長期保持我國集成電路產(chǎn)業(yè)健康快速發(fā)展態(tài)勢。








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