肖特基勢壘二極管利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成，由于金屬-半導體接觸的電流運輸主要是依靠多數載流子(電子)，其電子遷移率高，且M-S結可以在亞微米尺度上精確制造加工，使得肖特基勢壘二極管能運用到亞毫米波、太赫茲波頻段。肖特基勢壘二極管基本結構所示。
肖特基勢壘二極管截面圖
由于N型摻雜相比于P型摻雜有更高的電子遷移率，襯底材料選擇“N+型”襯底，隨后在襯底表面生長出一層高純度、高電導率的N型重摻雜緩沖層，用于保證較低的串聯電阻及防止襯底雜質進入外延層。外延層生長在緩沖層上表面，其摻雜濃度與厚度是二極管的重要設計參數。外延層上表面與金屬陽極接觸形成肖特基勢壘接觸，形成整流結，在襯底下表面與金屬陰極接觸形成歐姆接觸。
肖特基勢壘二極管有兩種管芯結構：點接觸型和面結合型，如下圖所示。點接觸型管芯用一根金屬絲壓接在N型半導體外延層表面上形成金半接觸。面結合型管芯先要在N型半導體外延層表面上生成二氧化硅保護層，再用光刻的辦法腐蝕出一個小孔，暴露出N型半導體外延層表面，淀積一層金屬膜（一般采用金屬淚或鈦，稱為勢壘金屬）形成金半接觸，再蒸餾或電鍍一層金屬（金、銀等）構成電極。
兩種肖特基勢壘二極管結構
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