對(duì)于Si，Ge，GaAs，SiC這些材料，都有較高的載流子遷移率，也就有較大的平均自由程，因而在室溫下，這些半導(dǎo)體材料的肖特基勢(shì)壘中的電流輸入機(jī)制主要是依靠多數(shù)載流子的熱電子發(fā)射機(jī)制。

這些材料組成的器件器件上的正向電壓增加后，器件中的IV特性曲線將偏離理論計(jì)算曲線，其實(shí)這主要是因?yàn)槠骷拇?lián)電阻的影響，在較大的正向?qū)娏髅芏认拢?lián)電阻導(dǎo)致的額外分壓會(huì)使實(shí)際加在肖特基結(jié)上的電壓下降。

當(dāng)肖特基二極管在反向偏置時(shí)，漏電流主要也是由熱電子發(fā)射所造成的，從理論上考慮，器件的反向漏電流密度其實(shí)應(yīng)該是一個(gè)恒定的值，而事實(shí)上，從實(shí)際器件的典型反向漏電曲線，我們知道，其漏電流是隨著反向偏壓的增加而逐漸增大的，而這一點(diǎn)對(duì)于器件的應(yīng)用來說是個(gè)不利的因素，因?yàn)闀?huì)增加器件的功耗，從而造成能源的浪費(fèi)。

器件在反偏電壓下漏電流密度增大的主要原因是，鏡像力引起的勢(shì)壘降低，從而導(dǎo)致的熱電子發(fā)射電流增加引起的，而如果減小器件肖特基結(jié)表面附件的峰值電場(chǎng)強(qiáng)度就可以改進(jìn)肖特基器件的反向阻斷特性。

由于SiC肖特基二極管由于耐高壓特性，多被用來應(yīng)用在高壓領(lǐng)域，如果利用平面肖特基結(jié)結(jié)構(gòu)，在很高的反向電壓下，肖特基結(jié)表面的電場(chǎng)強(qiáng)度就會(huì)很大，由鏡像力引起的勢(shì)壘降低效應(yīng)就會(huì)更加明顯，自然會(huì)使得器件具有比低壓平面肖特基器件更難以接受的高漏電特性。

對(duì)于整流器件，我們知道在電子設(shè)備廠商選型時(shí)，[敏感詞]步就是看器件的反向耐壓是否符合具體應(yīng)用的要求。對(duì)于肖特基二極管器件來說，此擊穿電壓主要就是器件的雪崩擊穿電壓。

雪崩擊穿的主要過程為：器件在不斷增強(qiáng)的反向偏壓下，勢(shì)壘區(qū)中的電場(chǎng)強(qiáng)度也逐漸增加，在勢(shì)壘區(qū)中的電子和空穴受到強(qiáng)的電場(chǎng)影響，會(huì)有很大的漂移動(dòng)能，他們?cè)谄七^程中與勢(shì)壘中的晶格原子發(fā)生碰撞，當(dāng)把價(jià)鍵中電子碰撞出來后，就會(huì)產(chǎn)生一對(duì)可以導(dǎo)電的電子空穴對(duì)，而這樣的載流子增加方式也就是載流子的倍增效應(yīng)。而當(dāng)器件中因?yàn)檩d流子的倍增效應(yīng)在耗盡區(qū)的載流子濃度達(dá)到無窮大時(shí)，器件就發(fā)生了雪崩擊穿。

在相同的反偏電壓下，對(duì)比不同器件耗盡區(qū)中的[敏感詞]電場(chǎng)強(qiáng)度的值，可以判斷件擊穿電壓的大小。另一方面，通過改變器件中的那些可以影響電場(chǎng)強(qiáng)度分布的器件結(jié)構(gòu)參數(shù)，可以降低一定的反向耐壓下器件中的[敏感詞]電場(chǎng)強(qiáng)度值，從而達(dá)到增加器件擊穿電壓的目的的。