【60秒半導體新聞】ASML進博會展示DUV光刻機可生產7nm及以上制程芯片/顯微鏡下的蘋果A14：臺積電5nm果然有“水分”

發布時間：2022-03-10作者來源：薩科微瀏覽：2590

顯微鏡下的蘋果A14：臺積電5nm果然有“水分”

(快科技)蘋果A系列處理器這些年一直處于獨步江湖的高度，無論設計還是性能都是[敏感詞]的佼佼者，[敏感詞]的A14當然也不例外。

半導體逆向工程與IP服務機構ICmasters近日將一顆蘋果A14放在了顯微鏡下，仔細觀察了一番這個怪物。

蘋果A14采用臺積電5nm工藝制造，集成多達118億個晶體管，內核面積僅為88平方毫米，密度為1.34億個晶體管/平方毫米。

作為對比，上代A13使用的是臺積電7nm工藝，集成85億個晶體管，內核面積94.48平方毫米，密度為8997萬個晶體管/平方毫米。

更早的A12也是臺積電7nm工藝，集成69億個晶體管，內核面積83.27平方毫米，密度為8286萬個晶體管/平方毫米。

根據臺積電的宣傳，5nm工藝可以做到1.713億個晶體管/平方毫米的密度，蘋果A14距離理論值差了不少，只發揮出來不到80％。

當然，這并不是說臺積電5nm工藝不行，而是不同芯片有著不同的邏輯電路、緩存布局和設計，但是就實際值與理論值的對比看，這次確實低了很多，前幾代可是全部超過90％，A13甚至達到了驚人的98.65％。

另外，顯微觀察可以清楚地看到A14里的六個CPU核心，包括兩個大核心FireStorm、三個小核心IceStorm，以及四個GPU核心、16個神經引擎核心。

拆分來看，GPU核心占據11.65平方毫米，兩個大核心的二級緩存用掉了9.1平方毫米的面積，四個小核心的二級緩存則只占6.44平方毫米。

另外還有一個統一系統緩存，但暫時找不到在哪里。

ASML中國展示DUV光刻機可生產7nm及以上制程芯片

正在進行的第三屆進博會上，光刻機巨頭ASML也參展了，并且還在自己的展臺上曬出展示了DUV光刻機。據悉，ASML之所以沒有展示新的EUV光刻機，主要是因為他們目前仍不能向中國出口EUV光刻機，而此次展示的DUV光刻機可生產7nm及以上制程芯片。

ASML此次也帶來了其整體光刻解決方案，包括先進控制能力的光刻機臺計算光刻和測量通過建模、仿真、分析等技術，讓邊緣定位精度不斷提高。

在這之前，ASML CFO Roger Dassen在財報會議的視頻采訪中談到了與中芯國際等中國客戶的業務情況，其表示一些情況下，出口光刻機是不需要許可證的。

Roger Dassen指出，ASML了解美國當局目前的規章制度及其解釋，當然也知道這些與特定的中國客戶密切相關，但如果廣泛的來理解其規章制度對ASML的總體含義(對于特定的中國客戶)，則意味著ASML將能夠從荷蘭向這些中國客戶提供DUV光刻系統，且無需出口許可證。

美國僅僅是限制了美國不能給中國出口芯片、光刻機等，但并沒有限制其他國家對中國進口，荷蘭并不在美國的禁令范圍內。

目前的光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV光刻機，分為干分式與液浸式兩種。其中，液浸式于ASML手中誕生，其波長雖然有193nm，但等效為134nm，經過多重曝光后，液浸式光刻機也能夠達到7nm工藝。但是，每多一次曝光都會使得制造成本大大提升，而且良品率也難以控制。

EUV光刻機采用13.5nm波長的光源，是突破10nm芯片制程節點必不可少的工具。也就是說，就算DUV（深紫外線）光刻機能從尼康、佳能那里找到替代，但如果沒有ASML的EUV光刻機，芯片巨頭臺積電、三星、Intel的5nm產線就無法投產。

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