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產(chǎn)品展示

Product display
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高壓MOS管SL11N65CD 高壓MOS管SL11N65CD 高壓MOS管SL11N65CD
高壓MOS管SL11N65CD

類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):650V
連續(xù)漏極電流(Id):11A
功率(Pd):87W
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):318mΩ@10V,4.0A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.5V@0.8mA
封裝:TO-252

產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品名稱:MOS管SL11N65CD


生產(chǎn)商:薩科微Slkor


產(chǎn)品類型:N溝道


電性能參數(shù):

漏源電壓(Vdss): 650V

連續(xù)漏極電流(Id): 11A

功率(Pd): 87W

導通電阻(RDS(on)@Vgs, Id): 318mΩ @ 10V, 4.0A

閾值電壓(Vgs(th)@Id): 4.5V @ 0.8mA

封裝規(guī)格:

封裝類型: TO-252

產(chǎn)品特性與應用:

MOS管SL11N65CD是一款中高壓N溝道MOS場效應管,由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其中高電壓、大電流和適中功率特性使其適用于各種電源、逆變器和功率放大器等應用。


主要特性:

中高電壓承受能力: 漏源電壓(Vdss)為650V,適用于中高壓電源開關電路設計。

大電流承受能力: 連續(xù)漏極電流(Id)為11A,適用于大電流應用場景。

適中功率: 功率(Pd)為87W,適用于中等功率的電子應用。

相對低的導通電阻: 在10V電壓和4.0A電流下,導通電阻為318mΩ,有助于降低功耗和提高效率。

合適的閾值電壓: 閾值電壓(Vgs(th)@Id)為4.5V @ 0.8mA,確保穩(wěn)定的電路控制。

封裝優(yōu)勢:

TO-252封裝具有緊湊、易于安裝和散熱性能良好的特點,適用于一般功率電子設備的設計。


應用領域:

MOS管SL11N65CD廣泛應用于中高電壓、大電流、適中功率的電子應用,包括但不限于:

電源開關: 適用于中高電壓電源開關電路。

電源逆變器: 用于中高電壓電源逆變器的輸出控制。

功率放大器: 適用于功率放大器電路的輸出控制。

安全與可靠性:

MOS管SL11N65CD經(jīng)過嚴格的質(zhì)量控制和測試,確保在各種工作條件下穩(wěn)定可靠。請按照產(chǎn)品規(guī)格書和應用注意事項正確使用。


散熱設計建議:

由于中高電壓和大電流特性,建議在設計中考慮有效的散熱措施,以確保MOS管工作在合適的溫度范圍內(nèi)。


總結:

MOS管SL11N65CD以其中高電壓、大電流和適中功率的特性,為中高壓電子系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。在需要中高電壓承受能力和適中功率特性的場景下,SL11N65CD是一個值得考慮的選擇。


SL11N65CD TO-252_00.jpg

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