逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。

無可否認，碳化硅MOSFET是電動汽車電力電子設備未來十年的發展趨勢。該材料可提高動力系統效率（EV 范圍），在更高電壓下工作以實現更快充電，并隨著功率密度和工作溫度的增加而創造新材料機會，例如銀或銅燒結。

IDTechEx報告《電動汽車電力電子器件 2023-2033》深入探討了電動汽車電力電子器件，并提供了對不斷發展的半導體和封裝材料（包括 Si、SiC 和 GaN 半導體、芯片連接材料、引線鍵合、熱敏材料）的技術見解。

 寬帶隙 (WBG) 半導體：用于逆變器、OBC、DC-DC 轉換器的 SiC 和 GaN

20年來，Si IGBT 一直主導著中高功率器件系列，包括電動汽車電力電子器件，但正在讓位于新一代WBG 材料：SiC 和 GaN。隨著在更高溫度下運行的更小、功率密度更高的模塊的出現，這將從根本上影響新功率器件的設計，包括封裝材料。

SiC MOSFET 的采用是目前的主要內容，并將迅速增長以主導市場份額。雖然 SiC MOSFET 與理論的性能差距通常小于一個數量級，反映出還有一定的進步空間，但GaN 的運行速度比其理論極限低兩個數量級，反映出巨大的長期潛力。由于技術不成熟，GaN 的商業化目前受到其低功率/電壓運行的限制，而其在電動汽車中的采用取決于這種改進。如今，塊狀氮化鎵的成本也高得令人望而卻步，但隨著[敏感詞]批 600V 氮化鎵逆變器開始出現，硅基氮化鎵將首先被采用。

OBC和 DC-DC 轉換器的運行功率比逆變器低得多，但 WBG 半導體仍然有益，并且在這些設備類型中的采用率相似。除了提高整體功率密度外，更高的效率還允許通過 OBC 更快地為電池充電，并減少低壓電池充電（通過轉換器）期間的能量損失，從而增加續航里程。IDTechEx 報告預測，由于功率和電壓要求較低，OBC 和 DC-DC 轉換器的 GaN 市場進入時間略早于逆變器。

 封裝材料和熱管理的演變

該報告比較了新一代緊湊高效的封裝結構，旨在維持更高的功率密度和工作溫度。方法包括直接基板冷卻、帶式鍵合、直接引線鍵合、銅帶式鍵合、銀或銅燒結芯片粘接膏、集成散熱器、TIM 去除、油冷卻、雙面冷卻等。

芯片粘接材料是一個明顯的痛點，因為結溫較高，而且鉛材料的禁令導致市場轉向銀和銅燒結材料。銀燒結多年來一直處于資格認證階段，IDTechEx 相信這是一項非常有前途的技術，現在時機已經到來。事實上，今天采用的納米版本已經開發了七年多了。銅燒結材料仍大部分處于商業化階段，但有潛力提高銀燒結的性能。

另一個關鍵領域是引線鍵合。[敏感詞]代電力電子封裝采用鋁線鍵合，無需過多的力或時間即可輕松應用于芯片。然而，鋁的表面積覆蓋率較差（<20%），并且導熱率比銅低。這導致市場轉向不同類型的銅鍵合，這帶來了新的制造挑戰，需要更高的鍵合功率，而此時 WBG 材料導致芯片厚度縮小并變得更加脆弱。

在熱管理方面，許多逆變器供應商現在已經消除了散熱器和基板之間的 TIM，以提高熱阻，但這并不意味著電力電子領域沒有 TIM 機會。許多組件仍然需要 TIM，并且 TIM 通常仍用于將模塊散熱器粘合到水-乙二醇冷板。

逆變器 IGBT 或 SiC MOSFET 模塊大多使用水-乙二醇冷卻。然而，單側和雙面冷卻選項均被使用，每種選項都有自己的優點。使用油來冷卻電力電子設備的情況也有所增加，以消除電力驅動單元內的大部分水-乙二醇組件，而電機和逆變器使用相同的油。雖然當前市場尚未采用這種方法，但IDTechEx 看到了這種方法的前景。

英飛凌和意法半導體一直是汽車功率半導體供應領域的市場領導者，最近兩家公司都擴大了主要 OEM 合作伙伴關系。英飛凌已達成一項協議，從 2025 年起向 Stellantis 的一級合作伙伴供貨，價值可能超過10 億歐元。英飛凌還與大眾汽車簽訂了為期十年的供應協議，為現代汽車的 800V E-GMP 平臺供貨，并與寶馬在最初的 i3 以及雷諾方面建立了歷史性的合作關系。

與此同時，意法半導體與電動汽車制造商有主要的供應關系。根據 IDTechEx 的“電動汽車 2023-2043”報告，該公司 2022 年在全球銷售的所有 BEV+PHEV 汽車中占據約 14% 的市場份額。最近，意法半導體開發了名為ACEPACK的新型SiC模塊，這是一種類似于其他主流設計的嵌入式模塊解決方案，這將有助于擴大其客戶群。由于預計需求，該公司正在擴大意大利的產能，現代汽車已選擇在即將推出的 E-GMP 車型中使用這些模塊。

其他廠商的公告也不斷涌現，反映出 SiC 采用的步伐。Onsemi發布了名為EliteSiC的SiC MOSFET品牌，并將供應大眾和現代，Tier 1博格華納宣布將向Wolfspeed投資5億美元，Wolfspeed將從2024年起為未來的梅賽德斯-奔馳車型和捷豹路虎的下一代電動汽車供應SiC半導體。

在最后一個投資者日，特斯拉一反常態地宣布，其目標是將未來車型發布的 SiC 利用率減少 75%。這對供應商意味著什么？雖然該公告單獨來看有點不清楚，但 IDTechEx 預計特斯拉所有車輛的大部分電力電子設備將繼續使用 SiC MOSFET。

值得記住的是，SiC MOSFET 是在特斯拉于 2018 年發布初代 Model 3 時才大規模引入汽車行業的。目前特斯拉產品線中使用的逆變器設計與最初的逆變器類似。IDTechEx 預計，所宣布的減少是由于更小、更先進的 SiC 芯片實現商業化，以及五年的實際經驗和對 SiC 芯片熱管理的理解而推動的。特斯拉最初的 SiC 逆變器設計也可能針對冗余（額外的芯片）進行了優化，現在該設計針對成本和效率進行了優化。