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更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 1048

在制造集成電路時，有時候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學氣相沉積（CVD）這種方法。 CVD的原理是：我們將含有所需元素的氣體引入到反應室中，然后通過加熱讓這些氣體分解。雖然氣體不直接與晶圓表面……

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寸土寸金的晶圓為啥要留平邊（flat）或凹槽（notch）？

更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 1025

晶圓上留下的平邊（flat）或凹槽（notch）主要用于幫助在制造和處理過程中確定晶圓的類型、摻雜和晶向等信息。 1. 晶圓的晶向識別硅晶圓是由單晶硅錠通過切片制成的，硅晶錠的晶向（晶體結構排列的方向）對于半導體器件的性能和加工工藝非常重要。晶向包括常見的（100）、（110）和（111）晶向，不……

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一文讀懂先進封裝的四大要素？TSV、Bump、RDL、wafer

更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 764

先進封裝的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸點）、RDL（重布線層）、Wafer（晶圓）——在現代半導體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔的功能，從不同維度推動了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer（晶圓）：基礎材料和封裝載體 Wafer 是先進封裝的基礎，作為芯片……

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聊聊光刻機的原理、現狀與未來

更新日期： 2024-09-19
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光刻機是半導體制造過程中的關鍵設備，相當于芯片制造工藝的“印刷機”，它的精度直接影響芯片的制程和性能。根據不同光源類型，光刻機可以分為UV（紫外線）、DUV（深紫外線）和EUV（極紫外線）三大類。光刻機的分辨率主要由兩個參數決定：光源的波長（λ）和物鏡系統的數值孔徑（NA）。簡單來說，波……

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先進封裝核心技術之一：TSV

更新日期： 2024-09-19
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在先進封技術中，TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）是一種關鍵的垂直互連技術，它通過在芯片內部打通的通道實現了電氣信號的垂直傳輸。TSV可以顯著提高芯片之間的數據傳輸效率，減少信號延遲，降低功耗，并提升封裝的集成密度。以下是對TSV技術的詳細解釋。 1. TSV的基本概念 TSV 是一種……

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芯片設計之功能邏輯仿真

更新日期： 2024-09-11
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Functional Logic Simulation可以看作是芯片設計的“邏輯驗證”階段，確保設計功能如預期工作。它的主要目的是在時序無關的情況下，確認芯片的邏輯結構是否正確。這個步驟幫助工程師在芯片制造之前，發現并修正設計中的邏輯錯誤。

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為啥6寸晶圓用平邊，8/12寸晶圓用notch？

更新日期： 2024-09-11
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最近讀者提問：“6寸晶圓用平邊，8/12寸晶圓用notch，用Notch 比平邊好，為啥6寸還是用平邊”這個問題時，我們可以從晶圓制造、工藝要求、歷史原因和設備兼容性等多個角度進行分析。

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聊聊晶圓和芯片量產階段的full-mask

更新日期： 2024-09-06
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在集成電路工藝中，“full-mask”是一個關鍵概念，它涉及到半導體制造過程中掩模版的使用。掩模版是半導體光刻工藝中用于硅片表面圖案化的光學工具。掩模版上有微小的圖案，這些圖案將通過光刻過程轉移到硅片的光刻膠上，從而定義了芯片的功能區和布線層。

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SOI晶圓的結構、分類、優勢、下游應用

更新日期： 2024-09-02
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SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導體制造技術，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開來，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。

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如何理解晶圓制造的良率（Yield）

更新日期： 2024-08-27
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在晶圓制造中，良率的管理和提升是一個復雜而持續的過程，需要在工藝、設計、材料、設備等多個方面進行綜合的優化和管理。通過數據的分析、持續改進的策略、客戶協同的優化，最終實現良率的最大化，提高產品質量和產線效率。

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萬物智聯時代，RISC-V與AI的融合之路該如何走？

更新日期： 2024-08-21
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在全球科技飛速發展的背景下，RISC-V與人工智能（AI）的結合成為了業內關注的焦點，8月19日，第四屆滴水湖中國RISC-V產業論壇在上海臨港滴水湖畔召開，北京大學講席教授、RISC-V國際基金會人工智能與機器學習專委會主席謝濤發表了《萬物智聯時代RISC-V+AI之路》演講，分析了RISC-V與AI技術的結合及其發……

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