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晶圓代工市場(chǎng)即將迎來歷史性時(shí)刻

發(fā)布時(shí)間:2022-03-17作者來源:薩科微瀏覽:1405

當(dāng)下,晶圓代工廠的日子過得非常舒服,而這種狀態(tài)還將持續(xù)下去,至少會(huì)延續(xù)到2025年。  
  本周,IC Insights發(fā)布了[敏感詞]市場(chǎng)研究報(bào)告,預(yù)計(jì)2021年晶圓代工市場(chǎng)總銷售額將首次突破1000億美元大關(guān),達(dá)到1072億美元,增長(zhǎng)23%,與2017年的創(chuàng)紀(jì)錄增長(zhǎng)率相媲美(見圖1)。  
    圖1  
  預(yù)計(jì)到2025年,全球晶圓代工市場(chǎng)將以11.6%的年均增長(zhǎng)率增長(zhǎng),屆時(shí)代工廠總銷售額將達(dá)到1512億美元。  
  預(yù)計(jì)今年的純晶圓代工市場(chǎng)將強(qiáng)勁增長(zhǎng)24%,達(dá)到871億美元,超過2020年的23%。到2025年,純晶圓代工市場(chǎng)將增長(zhǎng)到1251億美元,5年(2020-2025年)復(fù)合年均增長(zhǎng)率為12.2%,占2025年晶圓代工廠總銷售額的82.7%,而2021年為81.2%。臺(tái)積電、聯(lián)電和多家專業(yè)晶圓代工廠預(yù)計(jì)今年銷售額將保持健康增長(zhǎng)。這些供應(yīng)商也在大量投資新產(chǎn)能,以支持預(yù)測(cè)期內(nèi)對(duì)晶圓代工產(chǎn)能的預(yù)期需求。  
  三星的外部銷售主要受高通等客戶的推動(dòng),占IDM代工市場(chǎng)的大部分。IC Insights 預(yù)計(jì) IDM晶圓代工市場(chǎng)今年將增長(zhǎng)18%,達(dá)到 201 億美元。預(yù)計(jì)到 2025 年,IDM 代工市場(chǎng)將增至 261 億美元,5 年復(fù)合年均增長(zhǎng)率為 9.0%。  
  無論是晶圓代工廠,還是IDM,從2020下半年開始,就進(jìn)入了瘋狂擴(kuò)產(chǎn)模式,而且是12英寸和8英寸齊頭并進(jìn),一改早些年12英寸廠盛、8英寸廠衰的態(tài)勢(shì),市場(chǎng)需求呈現(xiàn)全面旺盛的狀態(tài)。  
 

在全球范圍內(nèi),純晶圓代工廠的代表是臺(tái)積電、聯(lián)電、格芯和中芯國(guó)際,而做代工業(yè)務(wù)的IDM代表企業(yè)則是三星和英特爾。下面看一下這幾家的表現(xiàn)和動(dòng)作。


臺(tái)積電   


臺(tái)積電宣布2021年資本支出由之前預(yù)估的250-280億美元提升至300億美元,其中逾8成用于先進(jìn)制程投資,而7nm、5nm、3nm、2nm這些制程產(chǎn)線都采用12英寸晶圓。  
  不久前,臺(tái)積電還宣布3年投資1000億美元擴(kuò)建晶圓廠,并確認(rèn)將投資28.87億美元擴(kuò)充南京廠28nm制程工藝產(chǎn)能,每月增加4萬片晶圓產(chǎn)量,主要用于生產(chǎn)汽車芯片。  
  臺(tái)積電指出,目前臺(tái)灣地區(qū)的晶圓廠已經(jīng)沒有潔塵室空間,只有南京廠有現(xiàn)成空間可用,可以直接設(shè)置生產(chǎn)線,有利于快速形成產(chǎn)能。按照計(jì)劃,臺(tái)積電南京廠的28nm制程產(chǎn)能將于2022年下半年量產(chǎn),2023年中達(dá)到4萬片晶圓/月的滿載產(chǎn)能目標(biāo)。目前,臺(tái)積電的南京工廠主要生產(chǎn)16nm芯片,月產(chǎn)能約為2萬片晶圓。  
  臺(tái)積電要在5nm及更先進(jìn)制程保持領(lǐng)先,EUV光刻機(jī)是重要一環(huán),近年來,該公司不斷購入EUV設(shè)備,以維持先進(jìn)制程產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)。臺(tái)積電于日前召開技術(shù)論壇,指出其EUV設(shè)備累計(jì)裝機(jī)數(shù)量到2020年已占全球總數(shù)的50%,到2020年為止,采用臺(tái)積電EUV技術(shù)生產(chǎn)的晶圓,占全球EUV光刻晶圓數(shù)的65%。而隨著制程推進(jìn)至5nm,每片晶圓采用EUV掩模層大幅拉升,臺(tái)積電預(yù)估2021年EUV掩模產(chǎn)能將是2019年的20倍。  
  3nm方面,將增加EUV的使用量,效能將比5nm提升10-15%,功耗減少25-30%,邏輯密度增加1.7倍,SRAM密度提升1.2倍、模擬密度則提升1.1倍。  
  隨著以上[敏感詞]制程晶圓廠在未來1~3年內(nèi)逐步完成建設(shè)并投入量產(chǎn),以及美國(guó)亞利桑那州12英寸廠[敏感詞]期在2024年后進(jìn)入量產(chǎn),采用臺(tái)積電EUV技術(shù)的晶圓數(shù)將快速增長(zhǎng),其在EUV設(shè)備上的投資將越來越大。  
  作為全球晶圓代工的龍頭,臺(tái)積電的營(yíng)收水平處于[敏感詞]的優(yōu)勢(shì)地位。與此同時(shí),臺(tái)積電的毛利率也長(zhǎng)期處于高位(50%左右)。實(shí)際上,從2005年開始,該公司的平均毛利率就穩(wěn)定在45%以上,而且一直保持一定速度的增長(zhǎng),當(dāng)時(shí),臺(tái)積電正處于90nm制程工藝營(yíng)收高速增長(zhǎng)的階段,也正是從那時(shí)起,相應(yīng)芯片制造開始從8英寸晶圓向12英寸轉(zhuǎn)變,到今天,這種轉(zhuǎn)變基本完成(這里當(dāng)然是指先進(jìn)制程,成熟制程芯片向12英寸晶圓轉(zhuǎn)變是從最近幾年開始的)。


聯(lián)電   


就純晶圓代工廠商來看,聯(lián)電僅次于臺(tái)積電,排第二。可以說,聯(lián)電近一年多以來的強(qiáng)勁表現(xiàn),主要得益于這一波以CMOS圖像傳感器和TWS藍(lán)牙芯片為代表的“爆品”市場(chǎng)井噴,以及疫情引起的全球性芯片短缺。  
  2020下半年,聯(lián)電拿下了高通和英偉達(dá)的成熟制程大單,加上德州儀器、意法半導(dǎo)體及索尼等IDM巨頭持續(xù)擴(kuò)大下單,主要采用28nm、40nm或55nm等成熟制程,產(chǎn)品大多為模擬芯片。  
  另外,由于5G手機(jī)的電源管理IC用量增加3-4成,以及筆記本電腦對(duì)MOSFET及電源管理IC用量增加2-3成,加上大尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC及低像素監(jiān)控CMOS圖像傳感器供不應(yīng)求,包括臺(tái)積電、聯(lián)電及其他8英寸晶圓代工產(chǎn)能在2020下半年都供不應(yīng)求。  
  由于驅(qū)動(dòng)IC、PMIC(電源管理IC)、RF、IoT應(yīng)用等代工訂單持續(xù)涌入,聯(lián)電8英寸晶圓產(chǎn)能滿載,加上28nm制程持續(xù)完成客戶的設(shè)計(jì)定案,后續(xù)穩(wěn)定下線生產(chǎn),去年第四季度28nm及以下制程營(yíng)收同比增長(zhǎng)達(dá)60%,整體營(yíng)收同比增長(zhǎng)為13%。  
  這使得聯(lián)電產(chǎn)能處于滿負(fù)荷狀態(tài),其2021上半年的產(chǎn)能也已經(jīng)全面滿載,實(shí)際上,聯(lián)電8英寸晶圓代工產(chǎn)能已滿載到2021年下半年。隨之而來的就是漲價(jià)。  
  為了調(diào)配產(chǎn)能,聯(lián)電宣布2020年第四季度起開始漲價(jià),到目前為止,該公司已經(jīng)向大部分客戶提價(jià)兩次。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,預(yù)計(jì)聯(lián)電將再次上調(diào)晶圓代工價(jià)格,包括8英寸和12英寸的,漲幅至少10%起。至于下半年的行情,雖然現(xiàn)在還沒有定論,但該公司的客戶大多預(yù)測(cè)聯(lián)電會(huì)逐季漲價(jià)。  
  聯(lián)電遇上了行業(yè)發(fā)展的巨大紅利期,市場(chǎng)和相關(guān)產(chǎn)品對(duì)成熟制程芯片的需求量暴增。而這種狀況還在持續(xù),今后幾年,作為純晶圓代工業(yè)二哥的聯(lián)電,向上勢(shì)頭還將繼續(xù)。  
  聯(lián)電2021年第二季度財(cái)報(bào)顯示,營(yíng)收為509.1億元新臺(tái)幣,較上季增長(zhǎng)8.1%,同比增長(zhǎng)幅度為14.7%,毛利率為31.3%。聯(lián)電毛利率突破30%,是一個(gè)很重要的指標(biāo),因?yàn)樵摴旧弦淮伪平@一數(shù)字的時(shí)間點(diǎn),要追溯到2011年第4季的29.16%,10年來,其毛利率多在15%~20%之間徘徊,2020全年達(dá)到22.1%。  
  解構(gòu)聯(lián)電產(chǎn)能策略,仍然是舊產(chǎn)線、新建廠,兩路分進(jìn)。舊產(chǎn)線透過去瓶頸化的積極動(dòng)作,2021年產(chǎn)能可增加3%,2022年再增加6%,以28nm為主。聯(lián)電董事會(huì)同步通過的318.95億元新臺(tái)幣資本預(yù)算執(zhí)行案,都將用于增加產(chǎn)能,預(yù)計(jì)今年資本支出將維持調(diào)高后的23億美元。  
 

新建廠部分,年初公告的1000億元新臺(tái)幣南科新建廠計(jì)劃,將布建28nm制程,月產(chǎn)能2.75萬片,預(yù)計(jì)2023年第二季生產(chǎn),資本支出預(yù)估將落在明、后年。


格芯   


近期,格芯動(dòng)作頻頻。上周,格芯宣布,今年將提高車用芯片產(chǎn)量,并將斥資60億美元擴(kuò)產(chǎn)。  
  格芯車用事業(yè)部高級(jí)副總裁霍根(Mike Hogan)表示:“我們2021年在提高更多車用產(chǎn)能方面大有進(jìn)展,向汽車領(lǐng)域出貨的晶圓將比2020年增加逾一倍,預(yù)期2022年和之后將進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。格芯正在全球投資逾60億美元以提高產(chǎn)能,其中40億美元用于擴(kuò)展格芯在新加坡的工廠,10億美元?jiǎng)t用于在美國(guó)和德國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)。所有這些晶圓產(chǎn)能都可用于汽車。”  
  在各大客戶催貨之下,晶圓代工廠的擴(kuò)產(chǎn)大賽已從先進(jìn)制程一路蔓延至成熟制程,近期在車用電子大廠要求下各大廠都拉高擴(kuò)產(chǎn)幅度。  
  此外,格芯已經(jīng)根據(jù)歐洲共同利益重要項(xiàng)目(IPCEI)第二版申請(qǐng)了微電子項(xiàng)目的資金,希望從2024年起擴(kuò)大其本地生產(chǎn)能力。格芯首席執(zhí)行官湯姆·考菲爾德(Caulfiled)表示,該公司將在未來兩年內(nèi)在德累斯頓投資10億美元,以達(dá)到目前晶圓廠的[敏感詞]生產(chǎn)能力。制程工藝方面,涵蓋從55nm到22nm的FDSOI等。


中芯國(guó)際   


一周前,中芯國(guó)際宣布于2021年9月2日和中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)管理委員會(huì)簽署了合作框架協(xié)議,共同成立合資公司,規(guī)劃建設(shè)產(chǎn)能為10萬片╱月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目,聚焦于提供28nm及以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓廠。該項(xiàng)目計(jì)劃投資約88.7億美元。  
  而在今年的3月17日,中芯國(guó)際公告稱,公司和深圳政府(透過深圳重投集團(tuán))擬以建議出資的方式經(jīng)由中芯深圳進(jìn)行項(xiàng)目發(fā)展和營(yíng)運(yùn)。依照計(jì)劃,中芯深圳將開展項(xiàng)目的發(fā)展和營(yíng)運(yùn),重點(diǎn)生產(chǎn)28nm及以上的集成電路并提供技術(shù)服務(wù),旨在實(shí)現(xiàn)最終每月約40,000片12英寸晶圓的產(chǎn)能。預(yù)期將于2022年開始生產(chǎn)。  
  中芯國(guó)際還于2020年8月在北京成立了一家合資公司,專注于28nm,投資76億美元。  
  可見,中芯國(guó)際將大力拓展28nm制程相關(guān)產(chǎn)能。  
  營(yíng)收方面,中芯國(guó)際2021年第二季毛利為405.0百萬美元,相較于2021年[敏感詞]季的250.1百萬美元增加61.9%,相較于2020年第二季的248.6百萬美元增加62.9%。2021年第二季毛利率為30.1%,2021年[敏感詞]季為22.7%,2020年第二季為26.5%。中芯國(guó)際的毛利率突破30%,也是一個(gè)歷史性時(shí)刻。


三星   


三星一直在先進(jìn)制程方面追趕臺(tái)積電。7nm制程方面,有統(tǒng)計(jì)顯示,在2020年,三星每月的產(chǎn)能約為2.5萬片晶圓,5nm方面,三星每月約為5000片晶圓。  
  5nm方面,三星的低功耗版本5LPE性能比7nm的提升了10%,而在相同的時(shí)鐘和復(fù)雜度下,功耗可降低20%。據(jù)悉,5LPE在原始工藝中增加了幾個(gè)新模塊,包括具有智能擴(kuò)散中斷(Smart Diffusion Break:SDB)隔離結(jié)構(gòu)的FinFET,以提供額外的性能,[敏感詞]代靈活的觸點(diǎn)設(shè)置(三星的技術(shù)類似于英特爾的COAG,有源柵上的觸點(diǎn)),可用于低功耗的鰭式器件。  
  三星表示,5LPE在很大程度上與7LPP兼容,這樣,5LPE設(shè)計(jì)可以重新使用至少一些為原始工藝設(shè)計(jì)的IP,從而降低了成本并加快了上市時(shí)間。但是,對(duì)于可以充分利用SDB等優(yōu)勢(shì)的IP,三星建議重新設(shè)計(jì)。  
  另外,三星代工負(fù)責(zé)人表示,該公司已完成第二代5nm和[敏感詞]代4nm產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。  
  客戶方面,2020年,三星將其晶圓代工廠產(chǎn)能的60%用于其公司內(nèi)部使用,主要用于智能手機(jī)的Exynos芯片。其余產(chǎn)能分給客戶,包括高通(20%),另外20%由英偉達(dá)、IBM和英特爾瓜分。而隨著三星在2021年增加7nm、5nm等制程的產(chǎn)能,其自用比例將會(huì)下降,可能降至50%,更多滿足客戶需求。  
  另外,三星也在韓國(guó)和美國(guó)積極投資建設(shè)新晶圓代工廠,主要用于5nm和3nm制程。


英特爾   


本周,英特爾將開始在美國(guó)亞利桑那州新建兩座12英寸晶圓廠,主要用于將來的晶圓代工業(yè)務(wù)。  
  隨著英特爾新任CEO上任,點(diǎn)燃了該公司大規(guī)模擴(kuò)建晶圓廠的熱情,特別是在美國(guó)本土,由于其要大力發(fā)展晶圓代工業(yè)務(wù),所以決定投資200億美元在亞利桑那州新建兩座晶圓廠,計(jì)劃于2024年投入生產(chǎn),新晶圓廠將采用先進(jìn)制程工藝技術(shù)。增加的工廠將在該公司的Ocotillo園區(qū)(亞利桑那州,錢德勒),這樣,他們?cè)诋?dāng)?shù)氐墓S數(shù)量將從4個(gè)增加到6個(gè)。  
  另外,英特爾宣布計(jì)劃投資200億美元,在歐洲建設(shè)新的晶圓廠,并在多個(gè)歐盟成員國(guó)同時(shí)進(jìn)行投資。該公司表示希望能夠獲得歐盟更多資金和政策支持,還希望歐盟能夠提供一塊周邊基礎(chǔ)設(shè)施完備、占地超過4平方公里的土地,以便建設(shè)8座晶圓廠。英特爾與德國(guó)巴伐利亞州就慕尼黑附近可能建立一家晶圓廠進(jìn)行談判。巴伐利亞州已提議在慕尼黑以西,彭辛-蘭德斯貝格的一個(gè)廢棄空軍基地,作為該工廠的可能地點(diǎn)。  
  這些動(dòng)作都是為了發(fā)展代工業(yè)務(wù)。  
  早些年,IDM產(chǎn)能有余量的時(shí)候,會(huì)向外提供晶圓代工服務(wù),但最近這些年,隨著產(chǎn)能需求的大幅增長(zhǎng),以及創(chuàng)新應(yīng)用、芯片、工藝的涌現(xiàn),傳統(tǒng)IDM產(chǎn)能外包服務(wù)幾乎無法滿足市場(chǎng)需求了,而專業(yè)的晶圓代工服務(wù)在市場(chǎng)上的地位愈加突出,這也是英特爾下定決心大舉進(jìn)攻Foundry業(yè)的根本原因。實(shí)際上,該公司多年前就開始涉足Foundry業(yè)務(wù)了,但一直沒有真正給予重視和投入,使其在市場(chǎng)上幾乎沒有競(jìng)爭(zhēng)力。今年,IDM 2.0的推出,體現(xiàn)出了該公司發(fā)展代工業(yè)務(wù)的決心。


結(jié)語   


晶圓代工的火熱局面還在延續(xù),全球晶圓廠建設(shè)也是如火如荼,半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入了史上少有的瘋狂周期,產(chǎn)業(yè)人好好享受吧。





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