國產替代半導體設備進展

發(fā)布時間：2022-10-13作者來源：薩科微瀏覽：4404

半導體國產替代的窗口期或許就3-5年，判斷趨勢很重要

國產半導體發(fā)展在矛盾的市場環(huán)境中踩下了油門。

近年半導體國產替代浪潮刺激著大量玩家蜂擁而入，從半導體材料、設備一路蔓延到芯片設計、晶圓制造及封測，都回響著國產替代的口號，前景一片大好。

但疫情三年以來，全球半導體供應鏈的混沌與危機也在持續(xù)蔓延，進一步輻射到國內半導體產業(yè)，狠狠敲打著每一家企業(yè)和投資人的心。半導體產業(yè)已然處于資本大環(huán)境收縮的風暴眼中。

在這個矛盾時刻，“貪婪”還是“恐懼”？是赤裸裸擺在每一個玩家面前的難題。

如果我們從融資數據中尋找答案——IT桔子統(tǒng)計數據，集成電路（IC）行業(yè)的投融資規(guī)模正在逐年攀升，投資事件和融資規(guī)模已從2018年的312起、670.88億元，增長至2021年的543起、1255.99億元。這是[敏感詞]個歷史新高。

從行業(yè)角度看，市場研究機構IC Insights報告預測，2022年全球半導體行業(yè)資本開支有望達到1904億美元（約12017億人民幣)，同比增長24%。這是第二個歷史新高。

2008-2022年全球半導體資本支出趨勢（圖源：IC Insights）

不可否認，當下經受著行業(yè)大洗牌的國產半導體，正在艱難地走向高峰。在這艱難一戰(zhàn)中，如何看清硝煙背后的危與機，是每一家企業(yè)幾乎關于生死的抉擇。

作為產業(yè)布局者的玩家們，該如何在供應鏈危機四伏的局勢中突出重圍？同時投資者作為產業(yè)背后的隱形推手，又該如何撥開這層層迷霧，直擊機會的靶心？

半導體各環(huán)節(jié)國產替代進程

半導體各環(huán)節(jié)國產替代從19年就已經開始，半導體板塊也涌現出千億級別的上市公司，其中各個環(huán)節(jié)國產化率都有顯著提升。

1）設計環(huán)節(jié)，工業(yè)和車規(guī)級芯片設計的國產化率是偏低的，另外主芯片比如CPU/GPU/SOC等國產化率仍然比較低。目前設計層面國產化率比較高的是與手機相關的包括IOT等相關的消費類非主芯片一類的產品，比如攝像頭、CIS、射頻指紋識別、電源管理、部分功率器件等，相對國產化率較高。但是比如電腦的CPU/GPU以及手機的主芯片SOC，還有車規(guī)級的自動駕駛、智能座艙等芯片的設計層面國產化率仍然較低。整體來看在手機和消費電子領域國產化率已經比較高了，但是在工業(yè)和車規(guī)主芯片的方向仍然比較低。

2）封測層面，也包括傳統(tǒng)封裝、先進封裝以及近期熱門的Chiplet封裝。Chiplet目前國產化率較低，幾乎接近，因為Chiplet更多涉及到前道制造工藝，也不是傳統(tǒng)的封裝廠可以涉及到的，里面有涉及到很多前道的設備、布線工藝等，目前全球做的[敏感詞]的是臺積電，然后是Intel、三星等具有晶圓制造能力的一些公司。

3）偏上游的EDA軟件、設備、材料等國產化率相對比較低。設備整個板塊比較低，具體來看光刻膠是前道制造中國產化率幾乎為零的設備類型，像光學檢測國產化率也是個位數；其他比如清洗劑、CMP設備、刻蝕、薄膜沉積等一類國產化率高的可以超過50%，低一點的也會有20%左右，設備整體呈現偏結構化特征。材料細分品類更多，光刻膠、掩模版國產化率較低，電子特氣、拋光液等國產化率近年在快速往上。

越往上游，國產化率低是有原因的，一方面是技術難度高，另一方面是客戶包括晶圓廠的驗證導入周期比較長。設計環(huán)節(jié)消費電子類國產化率高，是因為從設計難度、溫度、適用范圍、可靠性、穩(wěn)定性等角度來看，都比工業(yè)與車規(guī)簡單，同時消費電子產品生命周期更短、一般2-4年，對芯片要求不是很高；而工業(yè)和車規(guī)的可能在5-10年，總體驗證周期很長。因此國產化率的標準，不一定按照技術難度，也包括導入壁壘、驗證壁壘等影響因素。目前美國對國內的限制更多也是在上游，半導體整體脫胎于美國，經過多年的發(fā)展，美國將產業(yè)鏈上面的一些環(huán)節(jié)剝離到海外，本土保留輕資產、高ROE、高毛利的環(huán)節(jié)，比如設備、EDA軟件、IP授權等，重資產的晶圓制造、封測以及其他技術壁壘不太高的芯片都逐步轉向其他地區(qū)，因此美國對國內的限制業(yè)主要是在上游更加關鍵的領域。

展望未來，最急需國產替代的環(huán)節(jié)應該是設備、材料、EDA軟件、芯片設計的CPU/GPU等環(huán)節(jié)，在本輪半導體反彈也是以國產替代強化的邏輯為主。除了技術層面之外，比如車規(guī)級關鍵芯片等也都急需實現國產化，以對當前國內新能源汽車發(fā)展進行彌補，也會涌現出相關的投資機會。

以下我們分設備類型，繼續(xù)分析各類細分設備中國際和國內廠商中標情況。

1、刻蝕：國產化率 22%，中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份三強崛起

長江存儲：國產刻蝕設備主要采購自中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份。在長江存儲 2017~2021 年刻蝕設備招標中，中微公司設備中標數量位列第三，累計 58 臺，僅次于泛林、東京電子，高于應用材料，體現出中微公司在刻蝕設備領域達到國際水平的技術競爭力。北方華創(chuàng)、屹唐股份僅次于應用材料，分別錄得 24 臺、18 臺。

從刻蝕細分類型來看，中微公司主要中標設備包括通孔刻蝕、接觸孔刻蝕、介質（氧化硅等）刻蝕、溝槽刻蝕等，其中 2020 年首次中標溝槽刻蝕；北方華創(chuàng)主要中標設備包括硅槽刻蝕、鋁刻蝕等；屹唐股份主要中標設備為介質（氮化硅、氮氧化硅等）刻蝕、鈍化層刻蝕等。

華力集成：中微公司中標數量位列第二，僅次于泛林，高于東京電子、應用材料。過去五年華力集成招標期間，中微公司共中標 15 臺，北方華創(chuàng)中標 1 臺。其中中微公司中標設備包括光阻刻蝕、銅互連溝槽刻蝕、鈍化膜刻蝕、通孔刻蝕、多晶硅刻蝕等，北方華創(chuàng)中標設備為多晶硅 STI 刻蝕。

華虹無錫：中微公司位列第二，僅次于泛林，高于迪恩士、東京電子。中微公司共中標 11 臺，北方華創(chuàng)中標 6 臺，其中中微公司中標設備包括鈍化膜刻蝕、氧化膜刻蝕、介質側墻刻蝕等，北方華創(chuàng)中標設備包括多晶硅刻蝕、淺溝槽刻蝕等。

總結：刻蝕設備方面，中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份分列國內前三，其中中微公司工藝覆蓋范圍相對較廣，其主力出貨類型為 CCP（電容耦合等離子刻蝕），面向介質刻蝕較多，近期 ICP（電感耦合等離子刻蝕）逐步發(fā)力，未來工藝范圍有望進一步拓寬；北方華創(chuàng)主要工藝覆蓋為多晶硅、淺溝槽、鋁刻蝕等類型，主要面向金屬、硅等導體刻蝕為主；屹唐股份在長江存儲獲得大量采購，主要面向介質刻蝕。從三座晶圓廠累計招標情況統(tǒng)計，國產設備中標總數 133 臺，晶圓廠招標設備總數 605 臺，由此計算國產化率約 22.0%（按照臺數占比，下同）。與國外廠商相比，國產刻蝕設備在刻蝕精度、工藝覆蓋率等方面還存在進一步提升空間。

2、薄膜沉積：國產化率 4.6%，拓荊科技、北方華創(chuàng)、盛美上海為國產前三強

長江存儲：薄膜沉積設備主要采購日美設備，包括東京電子、國際電氣、泛林、應用材料等。國產廠商中，拓荊科技、北方華創(chuàng)分別中標 14 臺、11 臺，其中拓荊科技中標設備主要為 PECVD（等離子增強化學氣相沉積），北方華創(chuàng)中標設備主要為 PVD（物理氣相沉積）。

華力集成：應用材料中標最多，國產包括拓荊科技、北方華創(chuàng)、盛美上海。其中拓荊科技中標設備為 PECVD，北方華創(chuàng)中標設備為濺射設備，盛美上海中標設備為銅電鍍設備。

華虹無錫：主要采購應用材料、泛林，國產廠商包括北方華創(chuàng)、拓荊科技、江蘇芯夢。其中，北方華創(chuàng)中標設備為 PVD，拓荊科技中標設備為 PECVD，江蘇芯夢中標設備為化學鍍設備。

總結：薄膜沉積設備方面，拓荊科技、北方華創(chuàng)、盛美上海分列國內前三，但三家廠商設備類型有明顯差異，其中拓荊科技主要為 PECVD（等離子增強化學氣相沉積），北方華創(chuàng)主要為 PVD（物理氣相沉積），盛美上海涉及電鍍設備，三家廠商均是對應細分設備（PECVD、PVD、電鍍）領域的國內龍頭，產業(yè)地位突出。從三座晶圓廠累計招標情況統(tǒng)計，國產設備中標總數 44 臺，晶圓廠招標設備總數 967 臺，由此計算國產化率約 4.6%。與海外廠商相比，國產廠商在薄膜沉積領域工藝覆蓋類型方面尚不完善，仍有較大發(fā)展空間。

3、過程控制：國產化率 2.4%，中科飛測、精測半導體、睿勵科學儀器國內領先

長江存儲：過程控制設備主要采購美、日設備，包括 Onto（由 Nanometrics 和 Rudolph Technologies 合并）、科天、日立高新、應用材料、賽默飛等。國產廠商中，中科飛測、精測半導體、睿勵科學儀器分別中標 7 臺、6 臺、2 臺，其中中科飛測中標設備主要為光學表面三維形貌量測設備，精測半導體中標設備主要為膜厚光學關鍵尺寸量測儀，睿勵科學儀器中標設備為介質薄膜測量系統(tǒng)。

華力集成：Nova Measuring、科天中標最多，國產僅睿勵科學儀器中標。其中 Nova Measuring 為以色列量測設備公司，共計中標 45 臺，中標產品包括化學機械研磨厚度在線測量設備、光學線寬測量儀設備、硅片厚度測量儀、X 射線光電子能譜分析量測設備等。睿勵科學儀器于 2019 年 11 月中標的 1 臺設備為后段膜厚測量儀設備(BEOL)。

華虹無錫：主要采購科天、日立高新，國產廠商包括吉姆西半導體科技、無錫卓海。其中，吉姆西半導體科技 6 臺中標設備為膜厚測量儀，無錫卓海 1 臺中標設備為套刻精度檢測機。從兩家公司官網我們了解到，吉姆西半導體科技主要業(yè)務為半導體再制造設備和研磨液供應系統(tǒng)，再制造設備品牌涵蓋應用材料、泛林、日新、東京電子、 Nanometrics、Mattson 等；無錫卓海科技專注半導體前道檢測與量測設備領域的研發(fā)、制造、修理、技術服務，再制造設備品牌涵蓋科天、日立高新、Ruldoph、Quantox、尼康等。

總結：過程控制設備方面，中科飛測、精測半導體、睿勵科學儀器屬于國內布局領先企業(yè)，其中中科飛測主要產品為光學表面三維形貌量測設備等光學檢測設備，精測半導體、睿勵科學儀器主要產品均為膜厚量測設備。從三座晶圓廠累計招標情況統(tǒng)計，國產設備中標總數 16 臺，晶圓廠招標設備總數 680 臺，由此計算國產化率約 2.4%，國產廠商設備僅覆蓋膜厚量測、光學形貌量測等類型，品類尚不齊全，存在較大市場空間尚待開拓。

4、氧化擴散/熱處理設備：國產化率 29%，北方華創(chuàng)優(yōu)勢較為明顯

長江存儲：北方華創(chuàng)中標僅次于東京電子，屹唐股份、成都萊普科技亦獲得采購。其中北方華創(chuàng)共計中標 94 臺，中標產品涵蓋氧化、退火、合金等設備。屹唐股份中標 6 臺，主要為退火設備；成都萊普科技于 2021 年 9 月中標 2 臺，為退火設備。

華力集成：東京電子、應用材料等企業(yè)領先，北方華創(chuàng)、屹唐股份、盛美上海亦獲得采購。其中北方華創(chuàng)共計中標 4 臺，中標產品涵蓋退火、合金、氧化爐設備；屹唐股份（Mattson）中標 2 臺，為快速熱退火/快速熱氧化設備；盛美上海中標 1 臺，為低壓高溫氧化爐設備。

華虹無錫：東京電子獲采購最多，國產廠商包括北方華創(chuàng)、屹唐股份、上海微電子等。其中，北方華創(chuàng)中標 10 臺設備，包括合金退火爐、真空烘烤爐等；屹唐股份中標 3 臺，為快速熱退火設備；上海微電子中標 2 臺，為背面激光退火設備。

總結：氧化擴散/熱處理設備方面，北方華創(chuàng)中標設備數量靠前，尤其是在長江存儲中獲采購數量較大。北方華創(chuàng)相關設備主要以各類氧化爐、退火爐、合金爐等為主；除北方華創(chuàng)外，屹唐股份、盛美上海等公司亦有相關爐管產品；上海微電子面向 IGBT 等應用開發(fā)了激光退火設備，與爐管設備有所區(qū)別。從三座晶圓廠累計招標情況統(tǒng)計，國產設備中標總數 124 臺，晶圓廠招標設備總數 430 臺，由此計算國產化率約 28.8%。

5、清洗：國產化率 31%，盛美上海中標設備數量國產最多，僅次于日本迪恩士

長江存儲：盛美上海中標設備數僅次于日本廠商迪恩士，國產中標廠商還包括芯矽科技、北方華創(chuàng)、屹唐股份。其中盛美上海共中標 35 臺，中標產品主要包括各類型單片式清洗機。芯矽科技共計中標 5 臺，中標產品為零部件清洗機。北方華創(chuàng)共中標 2 臺制程擋控片蝕刻回收清洗機，屹唐股份亦于 2021 年中標 2 臺清洗設備。

華力集成：盛美上海中標僅次于日本迪恩士，北方華創(chuàng)、芯源微亦獲得采購。其中盛美上海共計中標 19 臺，中標產品涵蓋前段、后段工藝的清洗設備。北方華創(chuàng)中標 13 臺，均為部件清洗設備；芯源微中標 3 臺，為刷片清洗設備。

華虹無錫：迪恩士、盛美上海分列前兩位，國產廠商還包括上海稷以科技有限公司。其中，盛美上海中標 19 臺設備涵蓋前后段制程，涉及銅線聚合體剝離、鋁線及通孔清洗、多晶硅氧化膜硅片再生、擴散爐前清洗等環(huán)節(jié)，產品應用較為多樣。上海稷以科技有限公司于 2021 年 9 月首次中標華虹無錫清洗設備 1 臺，具體產品為 300mm 薄片等離子背面清洗機。

總結：清洗設備方面，盛美上海表現較為突出，在選取的三家晶圓廠中設備中標數量均位列第二，僅次于日本迪恩士。盛美上海清洗設備工藝覆蓋面較廣，基本涵蓋前、中、后段工藝，除盛美上海以外，國內北方華創(chuàng)、芯源微、屹唐股份、至純科技等企業(yè) 均有所布局。從三座晶圓廠累計招標情況統(tǒng)計，國產設備中標總數 99 臺，晶圓廠招標設備總數 318 臺，由此計算國產化率約 31.1%。當前國產設備主要在后端制程為主，且部分用于處理控片、擋片，在正片、前端制程應用相對有限，未來仍存在較大發(fā)展空間。

6、去膠：國產化率 74%，屹唐股份、盛美上海國產入圍

長江存儲：屹唐股份中標數量位列[敏感詞]。屹唐股份共計中標 74 臺，數量超過韓國 PSK，中標產品涵蓋前、中、后段干法去膠設備。屹唐股份為中標范圍內[敏感詞]一家國產廠商。

華力集成：屹唐股份中標數量位列[敏感詞]。屹唐股份共計中標 10 臺，中標產品為等離子去膠設備，涵蓋前、中、后段去膠工藝。

華虹無錫：迪恩士獲采購較多，國產廠商包括屹唐股份、盛美上海。其中，屹唐股份中標 13 臺設備，均為等離子去膠設備；盛美上海中標 4 臺，均為前段光刻膠剝離設備。

總結：去膠設備方面，屹唐股份、盛美上海等公司入圍，兩家設備類型有所區(qū)別。其中，屹唐股份主要產品為各類等離子體干法去膠設備，其收購的 Mattson 在去膠領域具有長期技術積累，國產化率相對較高，盛美上海產品為濕法去膠設備。從三座晶圓廠累計招標情況統(tǒng)計，國產設備中標總數 101 臺，晶圓廠招標設備總數 137 臺，由此計算國產化率約 73.7%。

7、化學機械拋光：國產化率 21%，華海清科為國內細分龍頭

長江存儲：應用材料、華海清科中標最多。其中華海清科共計中標 34 臺，僅次于應用材料，中標產品主要為層間介質層化學機械拋光機、氧化硅化學機械拋光機、晶圓硅面化學機械拋光機等。

華力集成：應用材料、荏原制作所領先，國內華海清科中標。華海清科共計中標 4 臺，中標產品涵蓋硅研磨設備、銅化學機械研磨設備、氧化硅化學機械研磨設備和硅片背面氧化膜化學機械研磨設備。

華虹無錫：應用材料、華海清科獲采購較多。華海清科共計中標 10 臺設備，化學機械拋光工藝涵蓋銅、硅片再生、淺溝槽絕緣氧化膜&多晶硅膜、鎢等工藝環(huán)節(jié)，應用領域較為多樣；吉姆西半導體科技中標 5 臺，為氧化膜化學機械拋光設備。

總結：化學機械拋光設備方面，華海清科為國內細分龍頭，化學機械拋光設備涵蓋銅、硅片再生、淺溝槽絕緣氧化膜&多晶硅膜、鎢等多類材料。從三座晶圓廠累計招標情況統(tǒng)計，國產設備中標總數 48 臺，晶圓廠招標設備總數 230 臺，由此計算國產化率約 20.9%。與海外廠商相比，在工藝覆蓋率方面，國內廠商有進一步提升空間。

8、離子注入：國產化率 1.4%，爍科中科信國產獲采購

長江存儲：應用材料、亞舍立（Axcelis）中標較多。應用材料為離子注入領域全球龍頭，共計中標 38 臺，中標產品涵蓋高束流、中束流等類型；亞舍立 Axcelis 中標 8 臺，主要為高能離子注入設備。

華力集成：應用材料、住友重工、亞舍立等企業(yè)領先，國產爍科中科信獲得采購。應用材料中標設備涵蓋高電流、中電流和高能量離子注入設備；住友重工中標設備包括高電流和中電流離子注入設備；亞舍立中標設備為中電流和高能量離子注入機；爍科中科信于 2019 年中標 1 臺中束流離子注入機。

華虹無錫：住友重工、應用材料獲采購最多，國產廠商爍科中科信獲得采購。其中，住友重工、應用材料、亞舍立分別中標 22 臺、20 臺、4 臺離子注入機；爍科中科信于 2020 年中標 1 臺，為中電流離子注入設備。

總結：離子注入設備方面，爍科中科信在華虹無錫、華力集成均獲得中標，中標設備均為中束流離子注入設備。從三座晶圓廠累計招標情況統(tǒng)計，國產設備中標總數 2 臺，晶圓廠招標設備總數 139 臺，由此計算國產化率約 1.4%，該領域尚存在較大國內外差距，替代空間廣闊。

9、涂膠顯影：國產化率 1.1%，芯源微實現國產零突破

長江存儲：主要采購自東京電子，部分迪恩士、漢民科技。尚未采購國產廠商設備。

華力集成：東京電子獲采購數量領先，芯源微實現零的突破。其中，國產廠商芯源微中標 1 臺，為防反射層勻膠機設備/BARC Coater。

華虹無錫：18 臺招標涂膠顯影設備全部采購自東京電子，尚未采購國產廠商設備。

總結：涂膠顯影設備方面，東京電子獲采購較多，國產設備公司中僅芯源微入圍。芯源微在華力集成中標設備為勻膠機，國產化尚存在較大發(fā)展空間。除上述晶圓廠外，芯源微還在中芯紹興、上海積塔、青島芯恩等晶圓廠獲得批量招標采購，產品包括聚合物涂膠顯影機、背面涂膠顯影機、KrF 勻膠顯影機、I-line 勻膠顯影機等，公司在國內涂膠顯影設備領域具有一定稀缺性。從前述三座晶圓廠累計招標情況統(tǒng)計，國產設備中標總數 1 臺，晶圓廠招標設備總數 91 臺，由此計算國產化率約 1.1%。（報告來源：未來智庫）

10、光刻：國產化率 1.2%，阿斯麥[敏感詞]壟斷，上海微實現國產零突破

光刻機方面，各晶圓廠均主要采購阿斯麥產品，少量采購日系廠商佳能、尼康。國產廠商中，上海微電子裝備于 2021 年初于長江存儲中標一臺光刻機。當前在光刻機領域，后續(xù)廠與龍頭廠商阿斯麥之間差距仍較為明顯。從三座晶圓廠累計招標情況來看，國產設備中標總數 1 臺，晶圓廠招標設備總數 86 臺，國產化率約 1.2%，國產化率尚低。

上半年國產半導體設備廠商營收普漲

2022年上半年，電動汽車產業(yè)、大數據及人工智能的快速發(fā)展，對芯片產出的需求量與日俱增。再加上近些年來，國產替代意識和意愿的加強，給本土半導體業(yè)務的發(fā)展提供了強大的空間。因此，國內半導體設備供應商上半年營收基本都實現了不同程度的增長，并且由于手中的大量訂單，他們對今年剩余時間的出貨前景也保持信心。

從整體類別上看，國產設備基本可以覆蓋到半導體制造的各階段所需。尤其在刻蝕、清洗、薄膜等設備方面表現突出。無論是從一、二級市場追捧、上市公司業(yè)績亮眼等角度來看，本土半導體設備供應商已經進入了黃金發(fā)展周期。

北方華創(chuàng)和中微公司是刻蝕設備領域的公司，刻蝕設備也是我國[敏感詞]優(yōu)勢的半導體設備領域，已經逐漸進入成熟期。其中中微公司的介質刻蝕已進入臺積電5nm產線，北方華創(chuàng)在ICP（電感耦合等離子體）刻蝕領域較具優(yōu)勢，其14納米等離子硅刻蝕機已成功進入主流項目產線。

北方華創(chuàng)預計2022年半年度營收50.5億元-57.7億元，比上年同期增長40%-60%。中微公司預計 2022年半年度營業(yè)收入約 19.7 億元，同比增長約 47.1% （2021 年上半年營業(yè)收入13.4 億元，同比增長約 36.8%）；凈利潤為 4.1億元到 4.5億元，同比增加 565.42%到 630.34%。新增訂單約30.6億元，同比增長約62%。

清洗設備供應商盛美半導體2022年上半年營業(yè)收入為10.96億元，同比增長75.21%，凈利潤為2.37億元，較上年同期增長163.83%。半導體清洗設備、前道半導體電鍍設備和先進封裝濕法設備（包含后道電鍍設備）的營業(yè)收入均有較大增長。

CMP設備供應商華海清科預計2022年半年度營業(yè)收入為 6.8億元至7.5億元，同比增長131.60%至 155.44%。實現歸屬于母公司所有者的凈利潤為 1.7億元至1.95億元，同比增長140.99%至176.43%。

半導體晶體生長設備供應商晶盛機電預計2022年上半年歸屬于上市公司股東的凈利潤為10.8億元–12.5億元，比上年同期增長79.91%–108.22%。

另外據消息人士稱，包括拓荊科技、涂膠顯影設備供應商芯源微在內的半導體設備制造商上半年的收入也有顯著增長，未來 6-12 個月的訂單可見度明顯。

這些上市半導體設備企業(yè)中多是十幾年摸爬滾打過來的老牌企業(yè)，如今終于守得云開見月明。此前芯謀研究評價老牌國產半導體設備企業(yè)中提到，“務實、穩(wěn)定的行業(yè)領頭人和技術團隊，正是半導體設備企業(yè)邁向成功的關鍵之一。他們經過數十年的積累，承受住了市場的考驗。當產業(yè)化機遇來臨之時，這些經驗老道、實力雄厚的實干企業(yè)就乘風而起。”

國內設備業(yè)的蓬勃發(fā)展不僅體現在上市的設備企業(yè)中，非上市設備企業(yè)也迎來了良好的進展。

2022年上半年，摩爾精英的MEE-T系列ATE測試設備成功導入3家全球前十大模擬芯片廠商和十余家國產芯片廠商的量產供應鏈。MEE-T系列ATE測試設備是一款成熟穩(wěn)定的數模混合測試機，擅長手機AP、MCU、PMIC、IoT等各類芯片產品，[敏感詞]期全球裝機量達到3500臺。值得一提的是，MEE-T系列測試設備協(xié)助某國際模擬巨頭廠商，為其主力產品提升了6.7倍的測試產出效率，穩(wěn)定性提升了413%。

結語

中國是全球[敏感詞]的半導體設備市場，隨著需求不斷上升而推動的高代工資本支出、工藝的開發(fā)、存儲芯片的開發(fā)、環(huán)保生產驅動的光伏需求、LED、MEMS、功率器件和先進封裝的需求不斷增長，未來10年，中國將成為全球半導體芯片制造的中心。從歷史角度來看，半導體設備公司的興起與成長隨著全球芯片制造中心而遷移。據SIA的數據，在中國大陸晶圓產能的持續(xù)快速擴張的態(tài)勢下，到2030年，大陸的晶圓產能在全球的占比有望達到24%。因此，預計國內設備企業(yè)的市場占比將在未來幾年內穩(wěn)步上升。但在這個上升的過程中，離不開半導體客戶更大的支持。

免責聲明：本文轉載自“旺材芯片”，本文僅代表作者個人觀點，不代表薩科微及行業(yè)觀點，只為轉載與分享，支持保護知識產權，轉載請注明原出處及作者，如有侵權請聯系我們刪除。

上一條：三星收購Arm或已告吹，“Arm”所代表的IP行業(yè)競爭格局如何？
下一條：BEYOND Awards所頒布的消費科技創(chuàng)新大獎由鎵未來斬獲