場效應(yīng)管和 MOS管有什么區(qū)別嗎？

??場效應(yīng)管一般分為MOS場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管。目前主要使用的是MOS場效應(yīng)管，俗稱 MOS管。MOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體的簡稱，即柵-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“結(jié)”，表示PN結(jié)的結(jié)。FET代表Field Effect Transistor，即場效應(yīng)管。
??首先，主體不同

??1.場效應(yīng)：V型槽金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。這是繼MOSFET之后新開發(fā)的高效功率開關(guān)器件。

??2.MOS管：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管屬于絕緣柵類型。

??第二，特性不同

??1.場效應(yīng)：MOS  FET具有輸入阻抗(108W)、低驅(qū)動(dòng)電流(約0.1A)、高耐壓([敏感詞]耐壓1200V)、工作電流(1.5A~100A)、高輸出功率(1 ~ 250W)。

??2. MOS管：主要特點(diǎn)是金屬柵和溝道之間有二氧化硅絕緣層，輸入電阻高(可達(dá)1015)。

??第三，規(guī)則不同

??1.場效應(yīng)：結(jié)合了電子管和功率晶體管的優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電壓放大器(電壓放大幾千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器。

??2. MOS管：當(dāng)VGS=0時(shí)，管道處于閉合狀態(tài)，加上正確的VGS后，大部分載流子會(huì)被拉入柵極，“增強(qiáng)”這個(gè)區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝。

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