晶體三極管基本概述

晶體三極管的分類

晶體三極管結構圖解

(以NPN型晶體管為例)

晶體三極管工作原理詳解

(以NPN型晶體管為例)

根據晶體三極管的集電結和發射結的偏置情況，NPN型晶體三極管具有4種工作區間，如表1所示。

• 正向放大區（或簡稱放大區）：當發射結正向偏置，集電結反向偏置時，晶體管工作在放大區。大多數雙極性晶體管的設計目標，是為了在正向放大區得到[敏感詞]的共射極電流增益。晶體管工作在這一區域時，集電極-發射極電流與基極電流近似成線性關系。由于電流增益的緣故，當基極電流發生微小的擾動時，集電極-發射極電流將產生較為顯著變化。

• 反向放大區：當發射結反向偏置，集電結正向偏置時，晶體管工作在反向放大區。此時發射區和集電區的作用與正向放大區正好相反，但由于集電區的摻雜濃度低于發射區，反向放大區產生的放大效果小于正向放大區。而大多數雙極性晶體管的設計目標是盡可能得到[敏感詞]正向放大電流增益，因此在實際這種工作模式幾乎不被采用。

• 飽和區：當發射結和集電結均為正向偏置時，晶體管工作在飽和區。此時晶體管發射極到集電極的電流達到[敏感詞]值。即使增加基極電流，輸出的電流也不會再增加。飽和區可以在邏輯器件中用來表示高電平。

• 截止區：當發射結和集電結均為反向偏置時，晶體管工作在截止區。在這種工作模式下，輸出電流非常小(小功率的硅晶體管小于1微安，鍺晶體管小于幾十微安)，在邏輯器件中可以用來表示低電平。

正向放大區: 內部載流子的運動詳解

• 發射結加正向電壓，擴散運動形成發射極電流IE

• 擴散到基區的自由電子與空穴的復合運動形成基極電流IB

• 集電結加反向電壓，漂移運動形成集電極電流IC

晶體三極管的特性曲線

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