中國芯片產業在缺乏核心技術的困境下，國產替代的呼聲越來越高。在國家政策的大力扶持下，國內芯片制造商呈現出爆發式增長，國產芯片的自給率也從不到5%上升至20%~30%。據預測，到2025年，國產芯片的自給率有望進一步提升。作為一家國家高新技術企業，薩科微積極響應國家號召，致力于國產芯片的研發和生產。已經通過ISO9001質量管理體系認證，并獲得了歐盟的ROHS和REACH認證。憑借優秀的品質和規范的服務，薩科微在國產替代的浪潮中迅速嶄露頭角，品牌知名度、美譽度和市場占有率不斷提升。薩科微主要生產二極管三極管、功率器件和電源管理芯片等三大系列產品。此外，他們還推出了霍爾傳感器、ADC和BMS等新產品，在專用MCU和接口芯片方面擁有多年的技術積累。這些產品廣泛應用于各個行業，包括通信、消費電子、家電、新能源等領域。

薩科微 碳化硅專家

隨著電子技術的飛速發展，MOS管作為一種重要的半導體器件，應用范圍逐漸擴大。在各種電力設備、自動化控制系統和新能源設備中，MOS管都有著廣泛的應用。而薩科微半導體近期推出的中壓N溝道MOS管SL49N10G，具有先進的溝槽電池設計和優秀的參數特性，可以滿足電機驅動器、DC-DC轉換器等領域的需求。

薩科微半導體中壓MOS管SL49N10G產品圖

SL49N10G的漏源電壓為100V，連續漏極電流可達49A，導通電阻為7.6mΩ@10V,20A，閾值電壓為2V@250uA，封裝為PDFN(3.3x3.3)。這些參數特點使得它在不同領域的應用具有很大優勢。首先，漏源電壓高達100V，可以滿足各類高壓應用的需求。其次，連續漏極電流為49A，使得SL49N10G可以承載更大的負載電流，適用于電動機驅動器、DC-DC轉換器等領域。此外，導通電阻小，可以更好地控制開關損耗，提高電路效率，閾值電壓低，更容易實現設備的控制。最后，封裝為PDFN(3.3x3.3)，體積小巧，可在緊湊的電路板中靈活布局。因此，它不僅可以滿足高性能電子設備的需求，同時也更適合于微型、便攜式電子設備的應用。

薩科微半導體中壓MOS管SL49N10G

從設計上來看，該產品采用了薩科微半導體先進的溝槽電池設計，整體結構緊湊、散熱性能優異，可以提供更快的開關速度和更低的開關損耗。另外，SL49N10G通過了100% UIS 和 Rg 測試，穩定可靠。

薩科微半導體中壓MOS管SL49N10G

與其他型號的MOS管相比，SL49N10G具有更低的導通電阻和更高的漏源電壓。這使得它可以應用于電機驅動器、DC-DC轉換器等領域，為電路帶來更高的效率和更好的性能表現。導通電阻是衡量MOS管導通狀態下電流流過時的電阻大小。SL49N10G的導通電阻較低，意味著在導通狀態下，電流通過MOS管時能夠遇到更低的電阻阻礙，進而減少了功耗和熱量的產生。這對于電機驅動器和DC-DC轉換器等需要高效能的應用而言，意味著更高的效率和更好的性能表現。而漏源電壓是指MOS管在導通狀態下能夠承受的[敏感詞]電壓。SL49N10G的漏源電壓可達100V，表示它能夠適應更廣泛的應用場景，特別是對于需要處理高電壓的電路。

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薩科微的高端產品有碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢復功率二極管等，可滿足新能源汽車、高端裝備、通訊電力設備、太陽能光伏、醫療設備、工業自動化等行業需求；薩科微通用型類產品有肖特基二極管、ESD靜電保護二極管、TVS瞬態抑制二極管、通用型二極管三極管，功率器件有高中低壓的MOS場效應管、可控硅、橋堆等，和電源管理芯片LDO、AC-DC、ADC芯片系列、還有霍爾HALL傳感器、高速光耦、晶振等配套產品，在智能手機、手提電腦、機器人、智慧家居、物聯網、LED照明、3C數碼、智能可穿戴設備、萬物智聯等產品廣泛應用！

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