高頻感應加熱是利用電磁感應原理對工件進行加熱的，其功率密度在被加熱工件內的分布可方便地通過頻率的選擇和感應圈的合理設計而得到。因受電子開關元件的制約，高頻感應加熱電源一直采用電子管振蕩結構，不僅效率低、體積大、成本高,而且存在高壓危險。

隨著電力電子器件的發展，MOSFET、IGBT、SiC等新型開關器件相繼出現，為高頻感應加熱電源的小型化、高效率提供了元件基礎。SiC MOSFET以其工作頻率高、低導通、開關損耗低等優點,是高頻感應加熱電源最有前途的半導體器件。

圖1：高頻感應加熱電源原理框圖

圖1所示是高頻感應加熱電源原理框圖，其中功率逆變電路使用的功率模塊運行開關頻率決定了整機的效率和體積。為了盡可能的提高電源的效率、減小體積，需要使功率器件運行在較高的開關頻率，同時減小導通和開關損耗。

CREE公司推出的新型SiC MOSFET具有運行頻率高、導通損耗低等優點，非常適合應用在感應加熱設備中，提高開關頻率、減小濾波器件電抗器、電容的體積、增大整機效率。有效幫助感應加熱設備廠商推出新一代高頻、高效、小體積的產品。

圖2：CREE SiC MOSFET管芯發展

圖2所示為CREE在SiC領域不斷推陳出新，迄今為止已經推出了第三代SiC MOSFET管芯，相比[敏感詞]代管芯，[敏感詞]一代的SiC MOSFET管芯面積已經縮小至42%，從而大大減小了導通阻抗，降低導通損耗。

圖3：同等條件下SiC MOS與Si MOS效率對比

圖3所示為在相同的測試條件下，使用SiC MOS與Si MOS測試的樣機效率對比，從圖表中可以看到，相同的母線電壓和開關頻率，隨著功率的不斷增加，使用SiC MOS可以顯著的提高設備的效率、降低產品損耗。

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