一個碳化硅芯片業余愛好者的學習筆記。文獻整理，業界新聞，偶有所得，天馬行空。本公眾號屬于個人學習筆記，僅為個人業余興趣愛好，不涉及任何商業目的。文中如果有引用不規范的地方敬請見諒。有人的愛好是養花養草唱歌釣魚，也有人喜歡寫Twiter博客抖音，我最近幾年，喜歡周末偶爾讀點書刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技術發展。
題記：做點有趣的事，做個有趣的靈魂。
瞎聊了幾句羅姆雙溝槽IP的訴訟案花邊新聞??，發現感興趣的朋友還真不少。很多交流和問題沒法一一回復了。那就繼續瞎聊聊
關于這幾個溝槽結構專利，其實也沒啥好多聊的，大家都知道，沒辦法，這就是起的早的??有蟲吃，和早些年搶占域名注冊類似，
咱們都來晚了幾年…
這幾個溝槽結構，都是基礎結構。有時候看起來有種特別的美，仔細一看，特別對稱。
想象一下把這些結構做個排列組合，在三維立體空間重新組合下…是不是很有趣！
這就是為啥總說那三個結構，“英飛凌半包，羅姆雙溝槽，住友接地雙掩埋” 是基礎結構。
很有趣吧！…
可惜的是，按國際專利法，排列組合不管用啊！
否則Rohm可以輕松在雙溝槽旁邊集成個
肖特基二極管進去，是不是就不用這么辛苦打官司了！
這個官司打起來，看起來是沒個完了。這也從側面充分證明了，真正有用的碳化硅溝槽結構專利IP是多么稀有！
特別是，現在搞碳化硅器件的越來越多，很多原來做硅
IGBT和CoolMOS的，轉過來做個碳化硅二極管和平面MOSFET，基本是分分鐘就出產品。
這種情況下，碳化硅溝槽結構的IP，彌足珍貴！
我曾經一度很想去創業。特別是在肖特基街道辦學了幾手之后，認為既然自己差不多能一個人從設計版圖到工藝集成開發流片全搞完，是不是可以找點錢??試試了！
等一點點看完各個結構的發展歷史和專利權人，發現特么SiC的結構發展，和當年硅
IGBT七代結構和工藝的發展，還真有不少類似點！
驚訝的是，居然很多結構和工藝IP的源頭，居然在GE那兒！
曾經一度以為平面MOS里沒有專利問題，現在卻不太確定了。等把GE和日本團體那些專利都一點點讀完，不知道是啥時候了！
而且，日本是團體作戰，這個對于專利布局來說優勢互補。很管用！
例如，我曾經覺得相對于英飛凌半包和Rohm雙溝槽，其實在住友的接地雙掩埋IP里添點料加點粉，會是個很好的溝槽結構IP的突破口。還有很多東西可以做做。而且將來不會像Infenion半包和雙溝槽那么顯眼容易被訴訟。
但最近兩年，在Rohm打官司的同時，發現日本電裝富士羅姆豐田這幾家在怒吼式的申請專利，在原來的幾種結構上瘋狂繡花??，查缺補漏。簡直是想要在溝里再修幾套高樓的樣子。例如接地雙掩埋那個結構，足足就搞了十七八種變體和組合…
今年九月份的時候，聽說三安也想開始開發碳化硅溝槽MOSFET，苦于溝槽結構專利避不開，最后干脆選擇先照著做一個出來再說。于是直接從北京微電子所招了個博士，開始仿照著做個溝槽結構。
不扯遠了，剛本來想聊GE的。這才是真正的碳化硅IP大佬。只不過碳化硅器件對于GE來說是個小生意，GE興趣不大。連暴利的醫療裝備GE都懶得搭理了，說不清GE現在究竟啥情況
這兩周GE正在鬧分家。也許分完了以后，GE POWER能慢慢搞點小生意碳化硅器件也說不定。
畢竟，現在要各付各的晚餐費了。
GE應該對大功率器件還是挺有興趣的。分家之后，沒準需要剝離重新上市。SiC可是個估值利器！看看最近GE POWER熱情高漲的跑中國發展宣傳就可見一斑。
如果說GE POWER真的開始獨立出來，謀求單獨上市，那么功率芯片和SiC Power器件應該是個重新出發的好港口。
這個時機對GE POWER來說剛好。
正好碳化硅無比火熱，正好各玩家都特別有錢。
也許，GE POWER 就可以像高通那樣，開始收割點韭菜，變成個POWER的IP提供商。
對于一個上百年的企業來說，
分家的故事才剛剛開始，以后的精彩紛呈，誰知道呢！
免責聲明：本文轉載自“ 碳化硅芯片學習筆記”，本文僅代表作者個人觀點，不代表薩科微及行業觀點，只為轉載與分享，支持保護知識產權，轉載請注明原出處及作者，如有侵權請聯系我們刪除。
公司電話：+86-0755-83044319
傳真/FAX：+86-0755-83975897
郵箱：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李經理
QQ：332496225 丘經理
地址：深圳市龍華新區民治大道1079號展滔科技大廈C座809室
