根據世界半導體貿易統計組織（WSTS）公布的新數據，2024年全球半導體銷售額預計將達到5,883.64億美元，同比增長13.1%。這一預測顯示出生成式AI爆發所帶來的高性能計算和邏輯芯片需求的急劇增長，以及存儲器需求的逐步回暖。對于薩科微半導體來說，這是一次發展的機會和機遇。作為總部位于中國廣東省深圳市的半導體公司，薩科微半導體一直致力于以新材料、新工藝、新產品驅動公司的發展，并為全球客戶提供產品和配套服務。作為國家高新技術企業，該公司獲得了ISO9001質量管理體系認證以及歐盟的ROHS和REACH認證，為產品的質量和環境保護提供了保障。在全球半導體銷售額增長的背景下，薩科微半導體將繼續致力于技術創新和產品創新。不斷推進研發和創新，充分利用自身的技術優勢，提升產品性能和品質，以滿足客戶對高性能計算和邏輯芯片的需求。

薩科微 碳化硅專家

光耦合器是一種廣泛應用于電子系統中的元器件。它能夠將光信號與電信號相互轉換，隔離高電壓和高頻噪聲信號，從而保證了電路的穩定性和可靠性。薩科微半導體光耦6N139是一款高性能的光耦合器，它將AIGaAs紅外發射二極管作為發射器，光學耦合到硅高速塑料DIP8中的光電達林頓晶體管，具有不同引線成型選項的封裝。

薩科微半導體光耦6N139產品圖

其中，AIGaAs紅外發射二極管作為發射器，能夠提供高強度的光信號，并且具有高速、高效、穩定的特性。這使得光耦6N139能夠實現快速、可靠的光學耦合。而光電達林頓晶體管則作為接收器，能夠將光信號轉換為電信號，并且具有高速、高靈敏度、低失真的特性。能夠實現高效、可靠的信號傳輸。

薩科微半導體光耦6N139

此外，光耦6N139還具有分離設計，即光電二極管和達林頓晶體管之間采用分離設計，從而消除了二極管的反向電流和漏電流，減少了信號失真的可能性。同時，光耦6N139的晶體管輸出采用達林頓晶體管，能夠減少基極集電極輸入晶體管的電容，將速度提高幾個數量級，超過傳統光電晶體管的幅度。光耦6N139還具有高隔離度5000 VRMS，直流輸入，晶體管輸出的特點，能夠保證信號傳輸的穩定性和可靠性。它的工作溫度范圍為-55℃至100℃，具有REACH合規性，無鹵素，符合環保標準。

光耦6N139采用DIP-8封裝，具有以下主要參數：

·VCEO(V)：18V（集電極與發射極之間的max電壓）

·IC(mA)：60mA（集電極電流）

·VR(V)：5V（反向工作電壓）

·IF(mA)：25mA（LED發射器電流）

薩科微半導體光耦6N139

最后，光耦6N139可以應用于低電流線路接收器、電流環接收器、CMOS-LSTTL-TTL輸出接口、脈沖變壓器更換等領域。無論是在哪個領域，光耦6N139都能夠提供高效、可靠的信號傳輸支持，為各種電子系統提供了穩定、可靠的信號傳輸保障。

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