隨著汽車電動化、智能化、網聯化等發展，汽車電子迎來結構性變革大機會。在傳統燃料汽車中，汽車電子主要分布于動力傳動系統、車身、安全、娛樂等子系統中。按照功能劃分，汽車半導體可大致分為功率半導體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。

對于新能源汽車而言，汽車不再使用汽油發動機、油箱或變速器，“三電系統”即電池、電機、電控系統取而代之，新增DC-DC模塊、電機控制系統、電池管理系統、高壓電路等部件。相應地實現能量轉換及傳輸的核心器件功率半導體含量大大增加。因此從半導體種類上看，傳統燃料汽車中MCU含量[敏感詞]（23%），而新能源汽車中功率半導體含量[敏感詞]（55%）。

新能源汽車市場概況

目前，我國2020年前三季度整體乘用車銷量1337.6萬輛，其中新能源車銷量為65萬輛，而假設每個月200萬輛銷量，占比不到5%。預計2020年新能源銷量在120萬輛左右，市場滲透率4.8%。2025年滲透率目標為20%，要實現該目標意味著接下來5年新能源汽車占比要提升15%，每年滲透率平均提升約3%，對應約75萬輛的增量。

展望2021年，我國將成為拉升新能源車增量的主要地區：一方面，多項政策拉動車輛銷售與充電站設立；另一方面，對外牌車施行嚴格限行措施的一線城市如上海，新能源車牌不在限行規范內等，在多方面的刺激下，新能源車的銷售將回升至全球平均值之上。

新能源汽車景氣度高企

全球汽車市場規模超過3.5億美元，年均銷量9000萬輛左右，汽車行業成為一個龐大的支柱性產業。2009年中國汽車銷量首次超越美國，至今已連續11年穩居全球[敏感詞]大汽車市場，近幾年汽車銷量穩定在2500萬輛/年左右。

2010年新能源汽車被國務院確定為七大戰略性新興產業之一，行業于2014年后開始進入高速增長通道，從2015年開始國內新能源車銷量穩居全球[敏感詞]。2019年中國新能源汽車銷量共計120.6萬輛，占全球221萬輛的一半以上。

2020年11月，國務院辦公廳印發了《新能源汽車產業發展規劃（2021-2035）》（以下簡稱《規劃》），提出到2025年，新能源汽車新車銷量將達到汽車總銷量的20%，預計500-600萬輛。未來5年中國的新能源汽車行業將迎來近40%的復合增速，顯示行業超高的景氣度。

新能源汽車優勢明顯

在成本、效率和環保的驅動下，新能源汽車注定成為未來汽車的主流形態：

從成本角度看，目前國家補貼和地方政府補貼相對較高，同時新能源汽車能耗費用以及保養費用較低，從車輛的全生命周期角度看，新能源汽車的全生命周期成本低于燃油汽車。

從技術角度看，在汽車智能化大趨勢下，電動汽車在承接自動駕駛性能方面更具優勢。和燃油車相比，電動車整體結構更加簡化，計算機和其他電子設備更易與汽車控制器接口銜接，與智能網聯汽車相結合更具能耗優勢。

從環保角度看，歐美繼續推行嚴格的排放標準，美國加州政府要求2035年起，加州銷售的每輛新車必須實現零排放。我國新能源汽車產業發展規劃中提出到2025年，新能源汽車新車銷售量達到汽車新車銷售總量的20%左右。

汽車電動化推動功率半導體量價齊升

汽車電子拉動半導體整體需求

從傳統燃料汽車到新能源汽車，半導體在汽車領域的占比逐年增加，汽車含硅量大大提升。2019年全球半導體行業市場規模為4121億美元，其中汽車行業貢獻12.3%的營收。2010-2019年汽車成為半導體行業需求增長最快的行業，年復合增速高達9.2%，遠高于半導體行業整體3.7%的增速水平。

半導體價值倍增

從單車半導體價值量看，混動汽車和純電動車半導體價值分別為735美元和750美元，相比傳統燃油汽車450美元大大增加。

在傳統燃油汽車中，功率半導體主要用在啟動、停止和行車安全等領域。按照傳統汽車中半導體價值450美元，功率器件為50美元，占比10%左右。由于新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增至40%，純電動汽車的功率器件占比增至55%。按照純電動汽車半導體單車價值750美元計算，功率半導體單車價值量約為455美元,相比傳統汽車新能源車隊功率半導體需求提升接近9倍。

新能源汽車半導體主賽道：功率半導體

相較于燃油汽車，電動車新增功率器件的需求主要有三個方面：逆變器中的IGBT模塊；OBC、DC/DC中的高壓MOSFET；輔助電器中的IGBT分立器件。功率半導體是新能源汽車價值量提升最多的部分，需求端主要為IGBT、MOSFET及多個IGBT集成的IPM模塊等產品，核心用于大電流和大電壓的環境。

根據英飛凌介紹，從器件對應功率看，當功率從100kW增加到200kW以上，對應的器件從IGBT到SiC MOSFET過渡。根據應用場景不同，具體對應不同的功率器件。

新能源汽車功率半導體市場空間測算

根據全球新能源乘用車銷售量預計2025年約2100萬輛推算，按微混（525元）、插電混動（2100元）和純電(3185元)三類車型功率器件成本估算，2025年全球新能源汽車功率半導體市場空間約370億元。

按照我國新能源汽車產量有望在2025年實現600萬輛左右估算，考慮功率半導體價格漲幅，按純電動車EV功率器件800-3500元/輛，插電混動車PHEV（燃油動力系統上外掛電動系統）功率器件均為2100元/輛，預計國內新能源車功率器件市場空間2025年將增至160億元。

細分賽道一：IGBT，汽車動力系統的“CPU”

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即絕緣柵雙極型晶體管，是國際上公認的電力電子技術第三次革命[敏感詞]代表性的產品。IGBT是工業控制及自動化領域的核心元器件，其作用類似于人類的心臟，能夠根據工業裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的。保障電子產品、電力設備正常運行，同時降低電壓損耗，使設備節能高效。

IGBT是由MOSFET和BJT組成的復合功率半導體器件，既具備MOSFET輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快的優勢，也具備BJT通態電流大、通電壓低、損耗小等優點。其在高壓、高速、大電流等方面相比其他功率半導體器件具備明顯優勢，是未來功率半導體應用的主要發展方向。

從上世紀80年代至今，IGBT經歷了數代更新發展，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場—截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優化，斷態電壓也從600V提高到6500V以上。IGBT技術不斷更新是提高耐壓水平和減小損耗以達到下游領域的需求。采用新架構的IGBT通過降低關斷時間和通態壓降來減少功率損耗，提高斷態電壓水平，同時新工藝使得面積更小，工作溫度更高，成本更低。

IGBT未來發展趨勢主要薄片工藝，目的在于減小襯底電阻和較少熱阻而達到進一步減少損耗。在管芯上主要增加器件面積，提高電流密度。同時為了進一步降低制造成本，硅片也從一開始的5英寸到現在主流的8英寸和12英寸，折算后每顆芯顆成本可進一步降低。

技術方面。在新能源汽車中IGBT應用范圍一般在電壓600V以上，電流10A以上或頻率1KHz以上的區域，主要對應高電壓環境的電力驅動系統，電機控制系統及車載充電器，單車IGBT價值約400美元左右。

（下接深度解析！汽車上的功率半導體（二））

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