這是光耦合器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在左側(cè)引腳1和引腳2上裸露，它是一個(gè)LED（發(fā)光二極管），LED向右側(cè)的光敏晶體管發(fā)射紅外光。

光電耦合器能夠在電路中起到代替繼電器、變壓器等器件的作用，而用于隔離電路、開(kāi)關(guān)電路、數(shù)模轉(zhuǎn)換、邏輯電路、過(guò)流保護(hù)、長(zhǎng)線傳輸、高壓控制及電平匹配等。

光電耦合器是以光為媒介傳輸電信號(hào)的一種電一光一電轉(zhuǎn)換器件。它由發(fā)光源和受光器兩部分組成。

常見(jiàn)的ESD模型有：人體模型(HBM)、機(jī)器模型(MM)、充電組件模型(CDM)、國(guó)際電子工業(yè)委員會(huì)標(biāo)準(zhǔn)(IEC)、傳輸線脈沖模型(TLP)、快速傳輸線脈沖模型(VF-TLP)、人體金屬放電模型(HMM)。

SiC及SiC在大功率充電樁應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)，以及基于SiC的25KW/30KW/50KW的參考設(shè)計(jì)，國(guó)產(chǎn)SiC廠商的情況

沒(méi)有EDA，就不可能設(shè)計(jì)和制造當(dāng)今的半導(dǎo)體器件。

在電子電路和工業(yè)應(yīng)用中，IGBT功率管被普遍應(yīng)用，電磁爐中的開(kāi)關(guān)管，變頻器中三相電機(jī)控制，程控電源，逆變器等。通過(guò)IGBT來(lái)控制大電流的快速開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)不同的功能。本節(jié)來(lái)學(xué)習(xí)IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IR2104的使用。

每個(gè)芯片必須通過(guò)的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受元件影響。

利用聚焦電子束對(duì)某些高分子聚合物（電子束光刻膠）進(jìn)行曝光并通過(guò)顯影獲得圖形的過(guò)程。產(chǎn)生聚焦電子束并讓聚焦電子束按照設(shè)定的圖形掃描的設(shè)備就叫做電子束光刻機(jī)。

二極管的種類(lèi)有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）

GaN 半導(dǎo)體晶體材料的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，綜述了近年來(lái)采用 HVPE 法生長(zhǎng)高質(zhì)量 GaN 晶體的主要研究進(jìn)展；對(duì) GaN 的摻雜特性、摻雜劑類(lèi)型、生長(zhǎng)工藝以及摻雜原子對(duì)電學(xué)性能的影響進(jìn)行了詳細(xì) 介紹

RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)（RISC）原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學(xué)伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開(kāi)源計(jì)算機(jī)架構(gòu)中的一股強(qiáng)大力量。RISC-V架構(gòu)的出現(xiàn)和發(fā)展，不僅推動(dòng)了開(kāi)源計(jì)算機(jī)架構(gòu)的發(fā)展，也為智能汽車(chē)行業(yè)的未來(lái)發(fā)展提供了新的可能性和方向。上海交通大學(xué)深圳行業(yè)研究院首席科學(xué)家、院長(zhǎng)助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊針對(duì)RISC-V框架在智能汽車(chē)領(lǐng)域的運(yùn)用進(jìn)行探討