工程師們正在尋找從復(fù)雜模塊中有效散熱的方法。 將多個芯片并排置于同一封裝中可以緩解熱問題，但隨著公司進一步深入研究芯片堆疊和更密集的封裝，以提高性能和降低功率，他們正在與一系列與熱有關(guān)的新問題作斗爭。 先進封裝芯片不僅能滿足高性能計算、人工智能、功率密度增長等的需求，同時先進封裝的散熱問題也……

本文介紹了四種模擬輸入信號的保護電路的實現(xiàn)方法。 近由于工作的需要，涉及到了模擬輸入信號的保護電路問題。結(jié)合以往的工作實踐以及網(wǎng)絡(luò)文獻資料的查找。現(xiàn)在就保護電路作一簡單的說明。 電源鉗位保護 上述電路存在可靠性的問題。如果輸入電壓過高，比如超過了運放的工作電壓。那么就有可能造成運放的損壞。……

綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天應(yīng)用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統(tǒng)，為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構(gòu)和輔助動力裝置……

氮化鎵充電器的快速崛起讓消費者不再滿足低功率的快充，而消費者的迫切需求也促使各家廠商不斷追逐更高功率的快充方案，目前公認的120W左右的快充算是屬于消費電子行業(yè)第一梯隊，因此本期硬核拆評將拆解一款小米的120W氮化鎵快充，看看高功率的氮化鎵快充方案有何不同？ ……

先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因為靜電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的，會造成電路直接燒毀。所以預(yù)防靜電損傷是所有IC設(shè)計和制造的頭號難題。 靜電，通常……

一、ESD帶電器件模型 帶電器件模型（Charged-Device Model - CDM）是第三種重要的元器件靜電放電耐受閾值的測試方法。CDM 模型與之前討論的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模擬人體(Human Body)或機器設(shè)備（Machine）帶電后對元器件放電，而 CDM模型則是……

第一代半導(dǎo)體Si基 二極管 簡介：單個PN結(jié)結(jié)構(gòu)，導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài)，不具備放大，單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制，就是0和1的狀態(tài)，電壓電流較小。 應(yīng)用：各種電子設(shè)備，工業(yè)設(shè)備。 晶體管：BJT 簡介：背靠背的PN結(jié)結(jié)構(gòu)，通過電流驅(qū)動實現(xiàn)線性放大功能，具有放大工作區(qū)域，……

11月14日至18日，2022英特爾?FPGA中國技術(shù)周（IFTD）將與全球各市場同步線上舉辦，來自國內(nèi)外的技術(shù)專家將在五天的時間里，從產(chǎn)品、軟件開發(fā)與設(shè)計、云計算、嵌入式、網(wǎng)絡(luò)五大主題領(lǐng)域展開技術(shù)詳解。每日一主題、每天兩小時，通過二十余場主題演講及技術(shù)方案分享，助您全覽英特爾?FPGA產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢和落地實踐方案。 ……

CFP（C form-factor pluggable）封裝最早由CFP MSA協(xié)會發(fā)布，用于支持早期的100G光模塊（”C”在拉丁字母中代表100）。CFP模塊尺寸較大，可以提供和主機間10*10G或者4*25G的電接口連接，支持最大功耗24W。后來隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，又推出了更小封裝尺寸和更高性能的CFP2（12W）和CFP4（6W）以及CFP8（24W）標(biāo)準。CFP8封裝于2017年推出，是為了支持早期的400G光模塊，其可以支持16路25G的NRZ信號以實現(xiàn)400G傳輸，但逐漸被更小的OSFP和Q

今年以來，各省市漸次下發(fā)的光伏指標(biāo)規(guī)模已達近百GW，市場放量的同時也加速了逆變器企業(yè)新一輪競爭的到來。 根據(jù)最新資料統(tǒng)計，華電、大唐、國家電投等央國企先后啟動了超80GW的逆變器招標(biāo)，已公布中標(biāo)結(jié)果的企業(yè)報價只差毫厘。對于漸漸走出“價格戰(zhàn)”泥潭的逆變器企業(yè)，新一輪競爭焦點又在哪里？ ……

隨著摩爾定律推進并達到物理極限，基于新原理、新材料和新結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件引發(fā)集成電路工藝變革，后摩爾時代已然到來。后摩爾時代，芯片技術(shù)發(fā)展的基本點：一是發(fā)展不依賴于特征尺寸不斷微縮的特色工藝，以此擴展集成電路芯片功能。二是將不同功能的芯片和元器件組裝在一起封裝，實現(xiàn)異構(gòu)集成。三是通過新途徑來滿足人工智能算法和算力提升。我……

在2022 RISC-V中國峰會上，阿里平頭哥發(fā)布首個高性能RISC-V芯片平臺“無劍600”及SoC原型“曳影1520”。中科院院士、計算機專家倪光南表示，RISC-V將發(fā)展為世界主流CPU架構(gòu)之一，是我國芯片產(chǎn)業(yè)掌握主動權(quán)的重要機遇。 近年來，RISC-……