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ARM與RISC-V之爭
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數: 1781
從2010年夏天開始,伯克利研究團隊大約花了四年的時間,設計和開發了一套完整的新的指令集。這個新的指令集叫做RISC-V,指令集從2014年正式發布之初就受到多方質疑,到2017年印度政府表示將大力資助基于RISC-V的處理器項目,使RISC-V成為了印度的事實國家指令集。再到今年國內從國家政策層面對于RISC-V進行……
超越摩爾的EDA軟件四大金剛
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數: 1571
EDA軟件四大金剛 芯片進入大規模生產之前,需要進行“試生產”,也就是流片,對完成的設計電路先生產幾片、幾十片。流片是一個極其昂貴的過程。 在14納米制程的時代,流片一次的費用大約需要300萬美元。而到了7納米,流片費用則要高達3000萬美元。為了防止冒失的浪費,需要通過電子設計自動化(EDA)軟件上進行仿真測試。即使所有設計工具的成本都加起來,也抵不上一次流片的費用
無刷電機控制基礎(1)——結構和驅動電路
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數: 2347
無刷電機是指無電刷和機械換向器的電機。 我們知道,一般的有刷電機的定子是永磁體,轉子是電磁鐵。轉子轉動時,通過電刷來自動切換轉子電磁鐵的中的電流方向,使得轉子始終受到轉動力矩的作用,得以旋轉起來。 而無刷電機,轉子是永磁體,定子是電磁鐵,使用電子換向器器來切換電磁鐵中的電流方法。由于它沒有機械式的電刷,所以……
美國半導體產業協會呼吁投資半導體研發的5個關鍵領域
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數: 1544
片本土制造、成熟芯片生產以及半導體研發;韓國加強合作,將建立“K-半導體產業帶”,旨在建立集半導體生產、原材料、零部件、設備和尖端設備、設計等為一體的高效產業集群;中國臺灣地區提供行業指導,通過評估整體半導體研發及其對產業需求的覆蓋面來支持產業發展,避免投資平均化或關鍵領域經費投入不足等現象。與此同時,2021年以來,……
面試經常問的問題:線性電源VS開關電源
  • 更新日期: 2022-11-07
  • 瀏覽次數: 2405
電源按照轉換原理分類,可分為線性電源和開關電源。我們對電源進行線性電源和開關電源分類的時候,其實要明確是AC/DC還是DC/DC。雖然這個分類是為了區分轉化的原理。但是實現AC/DC功能的線性電源和開關電源,都是完整的交流轉化為直流的過程嗎,其中有些電路的一部分就是由DC/DC組成的。 AC/DC的線性電源與開關……
GaNext深度解析氮化鎵系列一「 何為氮化鎵?」
  • 更新日期: 2022-11-04
  • 瀏覽次數: 3205
氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,它具有能量帶隙寬、原子鍵強、熱導率高、化學穩定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)和抗輻照能力強等性質,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景,被奉為半導體界有巨大突破和創新的第三代半導體之一,那么到底什么是氮化鎵呢?我們今天就揭開氮化鎵的神秘面紗,請……
極客的桌面充電站!超級電容是個什么酷東西?
  • 更新日期: 2022-11-03
  • 瀏覽次數: 2325
今天,托尼要跟大家介紹一款非常非常非常重磅的產品! 我們旗下 Tegic 自己推出的產品——Tegic Quickbee 快嗶桌面充電站! 老差友們都知道,Tegic 是我們差評旗下自己成立的一家消費電子公司,大巖蛇數據線、內核K30充電頭、冰格充電寶都是Tegic的標志作品。。。 ……
MOSFET結構及其工作原理詳解
  • 更新日期: 2022-11-03
  • 瀏覽次數: 2681
MOSFET基本概述 MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓,產生
晶體三極管_結構及放大原理
  • 更新日期: 2022-11-03
  • 瀏覽次數: 3721
晶體三極管又稱晶體管、雙極型晶體管; 在晶體管中有兩類不同的載流子參與導電。 一、晶體管的結構和類型 晶體管的結構 在同一個硅片上制造出三個摻雜區域,并形成兩個PN結,就形成三極管。 2.晶體管的類型 基……
晶體三極管結構及其工作原理詳解
  • 更新日期: 2022-11-03
  • 瀏覽次數: 4382
晶體三極管基本概述 晶體管是一種與其他電路元件結合使用時可產生電流增益、電壓增益和信號功率增益的多結半導體器件。因此,晶體管稱為有源器件,而二極管稱為無源器件。晶體管的基本工作方式是在其……
詳解集成電路中MOS管的基本原理和工作特性
  • 更新日期: 2022-10-25
  • 瀏覽次數: 6914
前言 都說酒是穿腸藥,色是……
芯片燒毀失效分析
  • 更新日期: 2022-10-25
  • 瀏覽次數: 5089
引言 大多數電子元器件失效的主要原因為元器件內部電路與參考地之間存在不同電位形成短路狀況,產生過電流而造成元器件損壞,即EOS損傷。元器件的結構設計、生產工藝、儲存運輸等都有可能致其產生EOS失效,且難以從表面觀察出來。 ……

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