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PCB芯片散熱焊盤如何設計?
  • 更新日期: 2022-07-25
  • 瀏覽次數: 2860
01前言 工作中的電路板有許多發熱比較大的元器件,比如MOS管、LED、三極管,尤其在滿載的情況下更為嚴重,散熱通孔是眾所周知的一種通過電路板表面貼裝元件的散熱方法。 在結構上,板上開有一個通孔,如果該板是單層雙面板,則使銅箔連……
如何輕松區別隔離電源和非隔離電源的區別
  • 更新日期: 2022-07-22
  • 瀏覽次數: 3837
在產品設計時,倘若沒有考慮應用環境對電源隔離的要求,產品到了應用時就會出現因設計方案的不當導致的系統不穩定,甚至出現高壓損壞后級負載的情況,以及出現危害人身財產安全的情況。因此產品設計是否需要隔離至關重要。 ……
關于技術研究進展之GaN功率器件芯片級熱管理
  • 更新日期: 2022-07-05
  • 瀏覽次數: 4717
GaN 半導體具有高二維電子氣濃度、高擊穿場強、高的電子飽和速度等特點,在微波大功率器件應用領域有較第一、二代半導體材料顯著的性能優勢,其輸出功率密度可以幾倍甚至十幾倍于 GaAs 微波功率 FET,滿足新一代電子產品對更大功率、更高頻率、更小體積微波功率器件的要求,被廣泛應用于雷達系統、通信系統等軍民領域。
非常詳細的阻抗測試基礎知識
  • 更新日期: 2022-06-29
  • 瀏覽次數: 19151
一、阻抗測試基本概念 阻抗定義: 阻抗是元器件或電路對周期的交流信號的總的反作用。 AC 交流測試信號 (幅度和頻率)。 ……
國產無線充電芯片的技術和應用分析
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數: 1814
自從100年前物理學家尼古拉·特斯拉提出無線電力傳輸的構想,“無線充電”技術已經取得了極大的進步,但在商業化應用方面一直進展緩慢。直到最近幾年手機無線充電流行起來,“無線充電”這一技術才為大眾所熟知,在幫助手機用戶擺脫線纜糾纏的同時,開始滲透到更多應用領域,小至TWS耳機和微型IoT傳感器,大至廚房電器和電動汽車。 ……
DC/DC的電感下方到底是否鋪銅
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數: 2849
電感有交變電流,電感底部鋪銅會在地平面上產生渦流,渦流效應會影響功率電感的電感量,渦流也會增加系統的損耗,同時交變電流產生的噪聲會增加地平面的噪聲,會影響其他信號的穩定性。 在EMC方面來看,在電感底部鋪銅,完整的地平面鋪銅有利于EMI的設計;現在的電感的生……
MOS管發燙的原因
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數: 3862
MOS管發燙的原因,最近我有用到一個MOS管,MOS管的型號是2N7002,市面上很常見的MOS管,這個MOS管是一個電路的組合,是個自己設計的電路,用來驅動背光電路的,具體的電路圖我就不截出來了,我只能說造成我MOS管發燙的原因的話是我柵極驅動波形上升沿速度緩慢,因為我的電路需要頻繁的導通和關斷,上升沿波形緩慢的結果就是讓我的MOS管在電路導通的過程中處于線性導通狀態,也就是沒有完全導通,所以會發燙,如果做過開關電源的話就知道,MOS管上升沿緩慢代表什么,原因知道的話那就好辦了,驅動波形上升沿緩慢,也就
干貨 | 技術參數詳解,MOS管知識最全收錄
  • 更新日期: 2022-06-17
  • 瀏覽次數: 7247
和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等優勢,在開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領域得到了越來越普遍的應用。 ……
大廠DC-DC PCB layout建議
  • 更新日期: 2022-06-16
  • 瀏覽次數: 2834
在DC-DC芯片的應用設計中,PCB布板是否合理對于芯片能否表現出其最優性能有著至關重要的影響。不合理的PCB布板會造成芯片性能變差如線性度下降(包括輸入線性度以及輸出線性度)、帶載能力下降、工作不穩定、EMI輻射增加、輸出噪聲增加等,更嚴重的可能會直接造成芯片損壞。 ……
功率MOSFET技術資料與講解
  • 更新日期: 2022-06-14
  • 瀏覽次數: 3165
什么是功率 MOSFET? 我們都懂得如何利用二極管來實現開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號。對于諸如“流控制”或可編程開關之類的應用,我們需要一種三端器件和雙極型三極管。我們都聽說過 Bardeen &Brat……
降低氮化鎵襯底成本,他們找到了新方法
  • 更新日期: 2022-06-09
  • 瀏覽次數: 2253
2022年5月,名古屋大學未來材料與系統研究所的Hiroshi Amano教授和副教授Atsuyuki Tanaka組成的研究小組決定在“短時間內”以“小損耗”切割出GaN(氮化鎵)襯底宣布開發出可與Hamamatsu Photonics合作使用的激光切片技術。作為能夠降低 GaN 器件成本的技術而備受矚目。 ……

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