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以下觀點僅代表嘉賓本人立場，文章都已獲得本人授權發布，與本網站無關。?
氮化鎵外延用硅襯底問題研究
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 3176
摘?要：隨著硅基氮化鎵外延技術的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國產化問題日益凸顯。分析了國產片外延后邊緣滑移線密集和裂片問題，提出了硅片邊緣控制和機械強度控制參數和技術指標，為滿足功率器件級氮化鎵外延需求的高質量硅襯底研制指明了一定的方向。 氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性，可用于制作極其惡劣環境下運……
揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2911
揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片 高純度的單晶硅片是制造各種芯片的基礎材料，半導體級硅的純度極高，通常要達到99.9....%(小數點后面7至9個9，甚至是12個9），且為單晶，即硅原子晶格統一朝向。 當然這里所說的純度一般是僅考慮不含金屬雜質的純度，不包括……
隔離電源與噪聲
  • 更新日期： 2022-03-18
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在惡劣或強電子干擾環境中，比如工業環境和生產裝配線等等，在這些系統中，機械設備、高頻 設備、火花機等等會產出各種干擾和噪聲從而影響其它電源的正常工作。出于對凈化電源的要求， 比如對電源質量要求比較高的精密儀器設備特別是傳感器和微弱信號采集的要求，采用直流隔離 電源是普通和常用的辦法。 直流（或噪聲）隔……
開關電源的MOSFET如何選擇，看這篇就夠了！
  • 更新日期： 2022-03-18
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DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中，這種情況會變得更加復雜。 圖 1—降壓同步開關穩壓器原理圖 DC/DC 開關電源因其高效率而廣泛應用于現代許多電子系統中。例如，同時擁有一個高側 FET和低側 FET 的降壓同步開關穩壓器，如圖 1 所示。這兩個 FET 會根據控制
DAC轉換+運算放大器乘法數模轉換器
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2765
大多數數模轉換器(DAC)采用固定的正基準電壓工作，輸出電壓或電流與基準電壓和設定的數字碼的乘積成比例。而對于所謂的乘法數模轉換器(MDAC)，情況并非如此，其基準電壓可以變化，變化范圍通常是±10 V。因此，通過基準電壓和數字碼可以影響模擬輸出(在這兩種情況下都是動態的)。 應用 借……
為什么MOS管要并聯個二極管，有什么作用？
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 3396
MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過來是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，根據導電溝道的不同，MOS可以細分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內可以看到，MOS在D、S極之間并聯了一個二極管，有人說這個二極管是寄生二極管，有人說是體二極管，究竟哪個說法準確呢？很多同學也非常好奇：為什么要并聯這個二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結構說起，不
一個公式打天下，ASML總監講解光刻機關鍵技術
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2894
在“追光實驗室”上海站啟動儀式上，阿斯麥（ASML）中國區總裁沈波笑言，隨著近年來半導體的社會關注度上升，ASML已經成功出圈，從一家只有業內人士了解的隱形冠軍，成為全民都能談論幾句的網紅公司，幾乎每天都能看到與ASML相關的報道和話題。ASML中國區技術總監高偉民甚至總結了媒體報道中對ASML的描述，他表示，專業媒體……
MOS管電流方向能反嗎？體二極管能過多大電流？
  • 更新日期： 2022-03-18
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今天來說兩個問題：1、MOS管導通電流能否反著流？D到S，S到D方向隨意？ 2、MOS管體二極管能過多大的電流？ 為啥會有這兩個問題？ 我們在最開始學習MOS管的時候，應該都是從NMOS開始的，電流的方向都是從D到S的。 而實際應用電路，NMOS會有電流從S到D的情況，比如下面這個……
替代硅片？有公司推出了12英寸的鉆石晶圓
  • 更新日期： 2022-03-18
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一家專門從事合成、實驗室培育的電子級鉆石材料的制造和應用的科技公司AKHAN Semiconductor 日前宣布，公司面向半導體、電信、消費行業和全球市場展示了能夠制造 300 毫米互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 鉆石晶圓。 他們指出，這個行業突破性的 300 毫米 CMOS 鉆石晶圓將增強各行業電子產品的……
細數國外金剛石半導體材料和器件發展情況
  • 更新日期： 2022-03-18
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以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料（禁帶寬度＞4.5 e V）的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。這類半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電子器件等領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力，目前正成為國際競爭的新熱點。 金剛石作為超寬帶隙……
拆解完131款氮化鎵快充，我們得到了8個重要數據
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2262
近幾年來，氮化鎵快充從最初的第三方品牌配件逐步進入系統內，成為眾多手機、筆電產品的標配。同時，氮化鎵技術在消費類電源市場中的應用領域也得到拓展，從單一的快充充電器，逐步延伸至快充拓展塢、快充插線板、快充墻插等品類。在這一過程中，氮化鎵也從最開始的黑科技逐漸變成了家喻戶曉的技術。 充電頭網已經累計拆解了近……
MEMS硅晶振替代石英 六大優勢解決電子工程師問題痛點
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2113
導讀：在不斷拓展的計時場景應用中，電子系統對計時元件提出了更高、更復雜的技術要求，而傳統的石英晶振無法克服其固有限制，如怕摔怕振，易斷裂，易溫漂，有限的頻率等缺點。其已經不能滿足所有應用領域需求。與石英晶振相比，MEMS硅晶振憑借有不停振、不跑偏、不怕摔，無溫漂，體積小可編程等優勢將有機會替代傳統石英晶振，解決電子工程……

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