晶體管類型：NPN

集射極擊穿電壓(Vceo)：50V

集電極電流(Ic)：150mA

功率(Pd)：150mW

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@100mA,10mA

直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：120@2mA,6V

特征頻率(fT)：80MHz

工作溫度：+125℃@(Tj)