晶體管類型: NPN

集射極擊穿電壓(Vceo): 12V

集電極電流(Ic): 100mA

功率(Pd): 150mW

集電極截止電流(Icbo): 1μA

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib) -

直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 70@7mA,3V

特征頻率(fT): 4.5GHz

工作溫度: -65℃~+150℃@(Tj)