晶體管類型：PNP

集射極擊穿電壓(Vceo)：60V

集電極電流(Ic)：1A

功率(Pd)：500mW

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA

直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V

特征頻率(fT)：125MHz

工作溫度： -65℃~+150℃@(Tj)